MSP430系列芯片晶振选型阐明

本陈述把MSP430系列芯片分为两个部分，一个是高速晶振接口，另一个是低速晶振接口，在一般的情况下，高速晶振接口所能接的晶振，低速晶振接口也能接，可是低速晶振必需要经过恰当软件的装备来使低速晶振接口能接高速晶振。每个接口都有相应的电气特性，在挑选晶振时就必需要依据一切芯片晶振接口的电气特性来挑选相应适宜的晶振。MSP430系列芯片的低速晶振接口，电气特性剖析，如下表所示：一起要留意MSP430系列芯片中的1系列的芯片的内部电容是固定的，为12pF。

表一 XT1晶振接口接低速晶振电气特性剖析

　　XT1晶振接口，假如接高速晶振，关键是要考虑到它内部含有必定的匹配电容，因此在外加晶振时就必需要比XT2晶振接口电容要小一些，详细留意如下表所示：

表二 XT1晶振接口接高速晶振电气特性剖析

　　XT2晶振接口是一个高速的晶振接口智能接高速的晶振，一起由于内部不带谐振电容，所以有必要匹配好电容，依据MSP430系列芯片的数据手册，可得以下XT2晶振接口接高速晶振电气特性剖析如下表所示：

表三 XT2晶振接口接高速晶振电气特性剖析

　　MSP430系列芯片一切的晶振接口上的旁路电容大约都是2pF，旁路电容咱们能够看成是晶振和单片机之间的负载电容，可是旁路电容跟着晶振和单片机的间隔以及单片机的品种，在电气焊接时的办法不同而不同，所以为了要更好的让晶振起振，挑选适宜的负载才能比较强的晶振。MSP430系列芯片由于是低功耗单片机，所以他的I/O流过的电流比较小，在这种情况下就必需要求晶振的谐振电阻必需要小，由于太大了I/O不能供给满足的电流让晶振正常的作业，所以有必要挑选适宜的谐振电阻的晶振。 MSP430系列芯片对晶振输出的正弦波震动起伏也有要求，最低有必要确保要有0.2VCC的输出电压，所以有必要挑选适宜的谐振输出电压值的晶振。影响晶振起振的原因有晶振（ESR）、晶振发动后负载电容的巨细、单片机电源电压的规模、PCB布线和电气阻隔、外部的环境要素和电路板的维护涂层处理，上面详细介绍的三个参数是挑选晶振时有必要考虑的最主要的参数。在振动回路中，晶体既不能过鼓励(简单振到高次谐波上)也不能欠鼓励(不简单起振)。晶体的挑选至少有必要考虑：谐振频点，负载电容，鼓励功率，温度特性，长时间稳定性。

　　MSP430系列芯片XT1口接低速晶振时，不必接外部的谐振电容，在规划电路时主要是留意PCB布线（详细参阅晶振不起振原因剖析及相应解决办法）以及低速晶振频率规模为（10，000–50，000）HZ，再就是软件的装备问题，在软件正确装备的条件下，经过测验低速晶振都能正常的作业（1系列的单片机或许要留意购买低速晶振的ESR要小于50KΩ）。MSP430系列芯片在挑选高速晶振时，有必要考虑晶振的参数来匹配MSP430系列芯片，MSP430系列芯片对晶振参数要求如下表所示：

表四 高速晶振电气特性表

假如是用外部的PWM波作为时钟，MSP430系列芯片要求必需要确保PWM的占空比在40%–60%之间这样才能让单片机的时钟体系正常的作业。