NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，可是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，而且NorFlash比较贵，而且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快。
NOR Flash是总线型设备，可在芯片内履行(XIP，eXecute In Place)，应用程序能够直接在FIash闪存内运转，不用再把代码读到体系RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因而运用时需求写入驱动程序
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指Memory作业需求同步时钟，内部的指令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需求不断的刷新来确保数据不丢掉；随机是指数据不是线性顺次存储，而是自在指定地址进行数据读写。
1.S3C2440存储操控器特性
（1）S3C2440A的存储器管理器供给拜访外部存储器的一切操控信号
27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写操控信号等
（2）总共有8个存储器bank（bank0—bank7）
（3）bank0—bank5为固定128MB
bank6和bank7的容量可编程改动，能够是2、4、8、16、32、64、128MB
最大共1GB
(4) bank0能够作为引导ROM。其数据线宽只能是16位和32位，其它存储器的数据线宽能够是8位、16位和32位
(5) 7个固定存储器bank(bank0-bank6)开端地址。bank7的开端地址与bank6的结束地址相衔接，可是二者的容量有必要持平
（6）一切存储器bank的拜访周期都是可编程的
（7）支撑SDRAM的自刷新和掉电形式
（8）支撑巨细端（软件挑选）
注：8个128M的bank，总共只要1G（地址空间），剩下3G，有一部分是寄存器的地址，还有一部分没有被运用，体系上电后从bank0履行bootloader程序。
S3C2440的8个bank在体系上电后有必要进行相应的初始化（n多寄存器的装备，S3c2440片内有NandFlash,SDRAM,NorFlash等装备寄存器），2440否则就不能作业。
S3C2440的每个bank都能够用来总线型设备，这些设备共用体系的总线。这些设备的片选端，都应该接到相应bank的片选信号上，因而一切总线型设备的地址线也是共用的。比方bank0接的便是norflash（bank0能够作为引导ROM）, Bank6接SDRAM。NandFlash不是总线型设备，所以NandFlash没有接在bank上，而是独自和S3C2440衔接。体系假如从NandFlash发动的话，NandFlash里边有必要烧有bootloader程序，NorFlash同理。
2.SDRAM原理剖析：
类型：K4S561632（两片共64M）
巨细：4M*16bit*4banks*2= 512 bit = 64M字节
数据宽度：32 bit
衔接在BANK6上，片选信号nGCS6
地址规模：0x3000_0000—0x33FF_FFFF
SDRAM存储原理：
SDRAM的内部是一个存储阵列，阵列中的每个单元格便是一个存储单元。
有四个逻辑BANK（L-BANK）
由BA1、BA0挑选
行地址数：13
列地址数：9
SDRAM贮存区域分配：
0x3000_0000~0x3100_0000（程序代码区、文字常量区）
0x33ff_0000~0x33ff_4800（堆区）
0x33ff_4800~0x33ff_8000（栈区）
0x33ff_ff00~0x3400_000（偏移中断向量表）
3.内存初始化
内存是嵌入式体系中非常重要的一部分，在体系发动前，有必要装备内存让其作业。
NOR FLASH
NOR FLASH (EN29LV160AB):
巨细：2M
数据宽度：16bit
衔接在BANK0上，片选信号nGCS0
地址规模：0x0000_0000—0x0020_0000
特色：
线性寻址
可直接按地址进行读写操作
写操作之前需进行擦除操作
写入、擦除速度较慢，读取速度较快，单位密度低、本钱较高
NAND FLASH
巨细：256M* 8Bit
数据宽度：8位
地址规模：有专门的时序操控总线，不占用体系总线资源
特色：
非线性寻址
读操作，一次有必要读一个扇区（512字节）
写操作，可按指定地址直接写入
写之前有必要进行擦除操作
单位密度高、本钱低、擦除速度快
坏块：
NAND器材中的坏块是随机散布的，在初始化时，需求对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用
位交流：
NAND Flash中产生的次数要比NOR Flash多，主张运用NAND闪存时，一起运用EDC／ECC算法
运用方法：
NOR Flash是可在芯片内履行(XIP，eXecute In Place)，应用程序能够直接在FIash闪存内运转，不用再把代码读到体系RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因而运用时需求写入驱动程序
发动方法：
NandFlash没有接在bank0上，而程序有必要从0地址开端履行，即bank0开端。2440内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）”的SRAM缓冲器。
体系发动时Nand flash存储器的前面4K字节被主动拷贝到Steppingstone中。
Steppingstone被映射到nGCS0对应的BANK0存储空间。
CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开端履行引导代码。
引导代码履行结束后，主动跳转到SDRAM履行。
