由两个背靠背PN结构成的以取得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年创造的点接触晶体三极管，50年代初开展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种根本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中心一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会构成较大的电流，这便是晶体管的扩大效应。
特色
输入特性曲线：描绘了在管压降UCE必定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的联系称为输入伏安特性，可表明为： 硅管的敞开电压约为0.7V，锗管的敞开电压约为0.3V。
输出特性曲线：描绘基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数联系可表明为：
双极型晶体管输出特性可分为三个区
★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失掉扩大才能。如果把三极管当作一个开关，这个状况相当于断开状况。
★饱满区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱满区IC不受IB的操控，管子失掉扩大效果，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状况。
★扩大区：发射结正偏，集电结反偏。
扩大区的特色是：
◆IC受IB的操控，与UCE的巨细简直无关。因而三极管是一个受电流IB操控的电流源。
◆特性曲线平整部分之间的距离巨细，反映基极电流IB对集电极电流IC操控才能的巨细，距离越大表明管子电流扩大系数b越大。
◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表明基极开路，IC很小，此刻的IC便是穿透电流ICEO。
◆在扩大区电流电压联系为：UCE=EC-ICRC， IC=βIB
◆在扩大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少量载流子漂移运动的成果。
。集电极－基极反向饱满电流ICBO ：是集电结的反向电流。
集电极－发射极反向饱满电流ICEO ：它是穿透电流。
ICEO与CBO的联系：
特征频率 ：因为晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的沟通电流扩大系数会随作业频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。
双极型晶体管极限参数
★最大集电极耗散功率 如图所示。
★最大集电极电流 ：使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大答应电流。
★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，别的两个电极间所答应加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超越此值的管子会发作击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。
