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双向可控硅四象限触发方法介绍_双向可控硅触发电路的规划

本站为您提供的双向可控硅四象限触发方式介绍_双向可控硅触发电路的设计,双向可控硅作为一种半导体器件,目前已经得到了广泛的运用。本文以双向可控硅为中心主要介绍了双向可控硅四象限触发方式以及双向可控硅触发电路的设计方案概要。

  双向可控硅是一种功率半导体器材,也称双向晶闸管,在单片机操控系统中,可作为功率驱动器材,因为双向可控硅没有反向耐压问题,操控电路简略,因而特别适合做沟通无触点开关运用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗搅扰问题很重要,一般都是经过光电耦合单片机操控系统中的触发信号加载到可控硅的操控极。为减小驱动功率和可控硅触发时发生的搅扰,沟通电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。(过零触发是指在电压为零或零邻近的瞬间接通,因为采用过零触发,因而需求正弦沟通电过零检测电路)

  双向可控硅分为三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其导通条件如下图:

双向可控硅四象限触发方法介绍_双向可控硅触发电路的规划

  总的来说导通的条件便是:G极与T1之间存在一个满足的电压时并能够供给满足的导通电流就能够使可控硅导通,这个电压可所以正、负,和T1、T2之间的电流方向也没有联系。因为双向可控硅能够双导游通,所以没有正极负极,但是有T1、T2之分

  双向可控硅触发电路的规划方案

  双向可控硅是一种功率半导体器材,也称双向晶闸管,在单片机操控系统中,可作为功率驱动器材,因为双向可控硅没有反向耐压问题,操控电路简略,因而特别适合做沟通无触点开关运用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗搅扰问题很重要,一般都是经过光电耦合器将单片机操控系统中的触发信号加载到可控硅的操控极。为减小驱动功率和可控硅触发时发生的搅扰,沟通电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零邻近的瞬间接通。因为采用过零触发,因而上述电路还需求正弦沟通电过零检测电路。

  1 过零检测电路

  电路规划如图1 所示,为了进步功率,使触发脉冲与沟通电压同步,要求每隔半个沟通电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 – 2 为光电耦合器,起阻隔效果。当正弦沟通电压挨近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,发生负脉冲信号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中止0 的输入引脚,以引起中止。在中止服务子程序中运用定时器累计移相时刻,然后宣布双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

双向可控硅四象限触发方法介绍_双向可控硅触发电路的规划
双向可控硅四象限触发方法介绍_双向可控硅触发电路的规划

  2 过零触发电路

  电路如图3 所示,图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器,也归于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR 而且起到阻隔的效果,R6 为触发限流电阻,R7 为BCR 门极电阻,避免误触发,进步抗搅扰才能。当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通,MOC3061 导通,触发BCR 导通,接通沟通负载。别的,若双向可控硅接理性沟通负载时,因为电源电压超前负载电流一个相位角,因而,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上理性负载自感电动势el 效果,使得双向可控硅接受的电压值远远超越电源电压。尽管双向可控硅反导游通,但简单击穿,故有必要使双向可控硅能接受这种反向电压。一般在双向可控硅南北极间并联一个RC阻容吸收电路,完成双向可控硅过电压维护,图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。

双向可控硅四象限触发方法介绍_双向可控硅触发电路的规划

  3 结束语

  双向可控硅过零触发电路首要应用于单片机操控系统的沟通负载操控电路,能够操控电炉、沟通电机等大功率沟通设备,经过实践证明作业安全、牢靠。本文要点介绍了过零检测、触发电路。至于软件规划比较简略,当过零检测电路检测到过零时发生中止请求,只要在中止服务程序中经过单片机80C51 的P1. 0 引脚宣布触发脉冲即可触发双向可控硅导通。

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