NAND闪存的内部架构:NAND闪存能够分为三种不同架构，即：单层单元SLC （Single Level Cell）；多层单元MLC（Multi Level Cell）；多位单元MBC（Multi Bit Cell）。其间，MBC以NROM技能为根底的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技能并不老练。
采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以到达其安稳、读写速度快等特色，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺陷，便是面积容量相对比较小，并且因为技能约束，基本上很难再向前开展了。
1997年，MLC架构的NAND闪存被英特尔首先研制出来，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个起浮栅，然后使用不同电位的电荷，透过内存贮存格的电压操控精准读写。因为其成本低，容量大，自面世以来得到了包含英特尔在内的多家闪存大厂的支撑，其间东芝公司更是看好MLC技能，并大力开展。可是MLC架构也相同有其缺陷，首先是运转状况不及SLC架构来的安稳；并且相对读写速率也较SLC慢；其次MLC的可写入次数仅为1万次左右。因而，MLC架构的NAND芯片一度被认为是低质贱价的闪存芯片。可是因为其容量上的先天优势，MLC技能也在不断改进和开展。
 |
|
SLC和MLC结构和作业原理示意图 |
 |
|
两个MCL Block的NAND FLASH |
因为其低成本及容量高的联系，该类型闪存现已主宰了咱们身边的很多存储前言。因为现在移动设备的不断增加，大容量高速非易失性存储设备成为市场需求的方针。
