前史长达53年的IEDM（International Electron Devices Meeting）是IEEE旗下的主力会议之一。IEDM的举行时刻固定在每年12月的第二个星期，会议地址则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研讨单位，包含大公司的研发部门、独立研讨机构及大学的相关小组，通常会积极地在IEDM上报导半导体及电子器材范畴的最新发展。IEDM评论的议题非常广泛，包括制作、规划、物理和建模等各个方面，从最先进的CMOS工艺到Memory和显现技能，从化合物半导体到纳米器材，从MEMS到智能电源等，不胜枚举。
IEDM影响力巨大，在业界的权威性毋庸置疑。IEDM论文数量经常遭到重视，由于它很大程度上反映出一个研讨单位在那一年的活泼程度和实力位置。以2004年为例，论文宣布数独占鳌头的两家公司是三星和IBM，三星在2000年之后籍由逆势扩张方针敏捷兴起，排名第一在情理之中，而IBM则是老牌的研讨大户，Intel只位列第五，与其位置稍稍不符，到非实力不济，大约与其不事张扬的内部方针有联系。在独立研讨机构中抢先的是法国的CEA-LETI和比利时的IMEC，合纵连横
是欧洲研讨中心的拿手好戏，在当今业界技能联盟满天飞的大势之下，它们想不出头都难。最活泼的大学是新加坡国立和美国的Texas大学 Austin分校。值得注意的是，新竹交大和TSMC各奉献4.5篇论文，体现适当抢眼。
由于受国内半导体工业发展水平的约束，长期以来，IEDM都与咱们无缘。直到2004年，50岁的IEDM才第一次听到来自中国大陆的声响。中科院微体系所的李昕欣研讨员、清华大学的任天令教授和SMIC的S. Yang博士，别离代表产学研三界介绍其研讨成果，向全球的同行们展现了国内涵半导体技能上的长足进步。IEDM的初体验是如此的甜美而满意，让咱们来赏识一下他们的创作。
微体系所的研讨人员将STI（浅槽阻隔）技能加以改变后运用到单晶圆MEMS的制作上，发展出一种沟槽-侧墙（Trench-Sidewall）技能。其主要过程是先在Si晶圆上构成浅槽SiO2阻隔层，接着腐蚀晶圆的反面直到显露SiO2阻隔层，然后在晶圆外表进行选择性硼分散并刻蚀构成沟槽，最终运用硼在显露的沟槽侧墙上自发分散，就能够将压阻/电容式传感器和静电制动器集成到沟槽侧墙。这种技能被成功地使用到悬臂式加速度计的制作上，取得的沟槽侧墙具有杰出的电功能，加速度感应的丈量成果和静电自检测成果均契合规划要求。
清华大学的研讨思路与微体系一切异曲同工之妙。他们将铁电薄膜与Si基MEMS奇妙结合，运用压电效应规划并制备出功能优秀、高可靠性的超声波微话筒，其结构与惯例话筒迥然不同。并且由于存在压电效应的逆效应，这种微话筒一起还能够当作微喇叭运用。该项技能办法的关键是制备高平整度和高质量的PZT薄膜。清华大学的师生们还展望了这种微型声学设备在超声波范畴的宽广使用远景，比方轿车防撞体系，直升飞机的安全高度监测仪，移动通讯设备的超声感应与定位等。参考之资，能够攻玉，将IC技能奇妙地运用到MEMS中，中科院和清华大学的这两个研讨小组以其新颖的构思引起重视。
SMIC的工程师们没有象其它公司那样热衷于评论其时最新的制作技能如65nm工艺等。他们从有用成品率学习办法论的视点，要点介绍SMIC怎么从无到有、敏捷起步，以及怎样有用地缩短量产所需的学习周期并操控生产成本，展现了SM%&&&&&%在90nm工艺、铜互连、MIM%&&&&&%及电感等方面的发展与实力。其中心是不求最贵（新技能），但求最好（适用），着重以客户为导向进行技能革新，在很多的技能文章中显得异乎寻常。
可是咱们的IEDM之路并没有由于这次成功的初体验而变得一往无前，IEDM 2005再次令人遗憾。IEDM 2006即将于12月在旧金山举行，成果会怎么呢？翘首以待吧。
