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三星3D V-NAND固态盘加快企业闪存进化

三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储–V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需

三星最新的产品是一种面向企业级使用、高牢靠的固态盘存储–V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技能带来功能上的进步,节约电力耗费,并进步了急需的牢靠性。

V-NAND固态盘有480GB和960GB两个容量点,960GB容量的固态盘供给最高功能,选用64个MLC 3D V-NAND闪存让接连随机读速度进步了20%。

新推出的V-NAND固态盘还供给了35K擦除周期,2.5英寸标准,为服务器制作商供给更高的规划灵活性和可扩展性。

三星电子半导体研制中心履行副总裁E.S. Jung在最近的闪存内存峰会(Flash Memory SUmmit)上表明:“三星的3D V-NAND克服了将制程工艺缩小到10纳米以下的难以逾越的妨碍,为全球客户供给最高密度的牢靠性,功能进步20%,能耗下降40%。”

“咱们将持续为服务器、移动设备以及PC商场推出各种不同的绿色内存产品以及解决方案,协助削减动力糟蹋,在企业级和消费级范畴发明更大的一起价值。”

据三星称,专有的3D V-NAND技能比20纳米级NAND闪存的制作出产力进步了两倍以上,经过使用3D Charge Trap Flash单元结构以及笔直互连技能,衔接24层组成3D单元阵列。

3D V-NAND固态盘将从本月开端出产。

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