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产品概况
LT®1160/LT1162 是本钱效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。起浮驱动器可以选用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为作业电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。
内部逻辑电路可避免输入一起接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯穿电流的共同自适应维护电路取消了对两个MOSFET 的悉数匹配要求。这极大地简化了高效率电机操控和开关稳压器体系的规划。
在低供电电压或发动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以避免功率 MOSFET 被部分接通。因为具有 0.5V 迟滞，因而即便在电源电压缓慢改变的情况下也能完成牢靠的操作。
LT1162 是 LT1160 的双通道版别，选用 24 引脚 PDIP 或24 引脚 SO 宽体封装。
使用
- 高电流电理性负载的PWM
- 半桥式和全桥式电机操控
- 同步降压型开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 高电流换能器驱动器
- D 类功率放大器
优势和特色
- 作业电压高达 60V 的起浮顶端驱动器开关
- 可把顶端N沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV电源电压
- 180ns 改换时刻 (驱动 10,000pF)
- 自适应非堆叠栅极驱动可避免发作贯穿
- 在高占空比条件下供给了顶端驱动器维护
- TTL/CMOS 输入电平
- 具迟滞的欠压闭锁
- 作业电源电压规模：10V 至 15V
- 独自的顶端和底端驱动引脚
LT1162电路图
LT1162中文PDF下载地址
LT1162下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/11602fb.pdf
