半导体的导电特性
自然界的各种物质就其导电功能来说，能够分为导体、绝缘体和半导体三大类。
半导体的导电才能介于导体和绝缘体之间，如硅、锗等，它们的电阻率一般在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电才能受掺杂、温度和光照的影响十分明显。如纯洁的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的份额掺入少数杂质（如磷）后，其电阻率急剧下降为 ，简直降低了一百万倍。半导体具有这种功能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。
1.1.1 本征半导体
(a)锗Ge (b)硅Si
图1.1.1 锗和硅原子结构
常用的半导体资料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。所谓单晶，是指整块晶体中的原子按必定规矩规整地摆放着的晶体。十分纯洁的单晶半导体称为本征半导体。
1.本征半导体的原子结构
半导体锗和硅都是四价元素，其原子结构示意图如图1.1.1所示。它们的最外层都有4个电子，带4个单位负电荷。一般把原子核和内层电子看作一个全体，称为惯性核。惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因而，整个原子为电中性。
2.本征激起
在本征半导体的晶体结构中，每一个原子与相邻的四个原子结合。每一个原子的价电子与另一个原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻原子结合在一起，构成所谓共价键的结构，如图1.1.2所示。
图 1.1.2 本征硅共价键结构
一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受捆绑那样强，假如能从外界取得必定的能量（如光照、升温、电磁场激起等），一些价电子就或许挣脱共价键的捆绑而成为自由电子，将这种物理现象称作为本征激起。
理论和试验标明：在常温（T＝300K）下，硅共价键中的价电子只需取得大于电离能EG（＝1.1eV）的能量便可激起成为自由电子。本征锗的电离能更小，只要0.72eV。
当共价键中的一个价电子受激起挣脱原子核的捆绑成为自由电子的一起，在共价键中便留下了一个空位子，称“空穴”。当空穴呈现时，相邻原子的价电子比较简单脱离它地点的共价键而添补到这个空穴中来使该价电子本来地点共价键中呈现一个新的空穴，这个空穴又或许被相邻原子的价电子添补，再呈现新的空穴。价电子添补空穴的这种运动不管在形式上仍是作用上都相当于带正电荷的空穴在运动，且运动方向与价电子运动方向相反。为了差异于自由电子的运动，把这种运动称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正电荷的载流子。
在本征半导体内部自由电子与空穴总是成对呈现的，因而将它们称作为电子-空穴对。当自由电子在运动进程中遇到空穴时或许会填充进去然后康复一个共价键，与此一起消失一个“电子-空穴”对，这一相反进程称为复合。
在必定温度条件下，发生的“电子—空穴对”和复合的“电子—空穴对”数量持平时，构成相对平衡，这种相对平衡归于动态平衡，到达动态平衡时，“电子-空穴对”保持必定的数目。
可见，在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而金属导体中只要自由电子一种载流子，这也是半导体与导体导电方法的不同之处。
