锗检波二极管的特性参数
①正向电压降VF: 检波二极管经过额外正向电流时,在极间发生的电压降。
②额外正向电流lF: 在规则的运用条件下,答应经过的最大作业电流。
③最高反向作业电压VR : 它等于半导体二极管击穿电压的2/3 。
④击穿电压VB: 是指二极管在作业中能接受的最大反向电压,它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值。
⑤零点结电容C 二极管在零偏置下的总电容量。
⑥检波功率η:在二极管输入端加上10.7MHz 正弦电压时,在输出端上的直流电压与输入端的峰值电压之比。
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①正向电压降VF: 检波二极管通过额定正向电流时,在极间产生的电压降。②额定正向电流lF: 在规定的使用条件下,允许通过的最大工作电
锗检波二极管的特性参数
①正向电压降VF: 检波二极管经过额外正向电流时,在极间发生的电压降。
②额外正向电流lF: 在规则的运用条件下,答应经过的最大作业电流。
③最高反向作业电压VR : 它等于半导体二极管击穿电压的2/3 。
④击穿电压VB: 是指二极管在作业中能接受的最大反向电压,它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值。
⑤零点结电容C 二极管在零偏置下的总电容量。
⑥检波功率η:在二极管输入端加上10.7MHz 正弦电压时,在输出端上的直流电压与输入端的峰值电压之比。