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IXYS IGBT驱动模块可协助高功率体系规划,缩短规划时刻,下降规划本钱

IXYS公司新推出的IXIDM1403驱动模块旨在为市场提供IGBT驱动器件,使设计周期缩短,设计成本做到尽可能最低,并具有极高的紧凑性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持双通道大功率IG

  IXYS公司新推出的IXIDM1403驱动模块旨在为商场供给IGBT驱动器材,使规划周期缩短,规划本钱做到尽或许最低,并具有极高的紧凑性和最高的功用和可靠性。IXIDM1403支撑双通道大功率IGBT模块,阻隔电压高达4000 V,开关速度高达50 kHz,具有短路维护和电源电压监控功用。

  IXIDM1403是根据IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片组的高压阻隔栅极驱动模块,它答应创立阻隔的IGBT驱动器,在初级侧和次级侧之间以及次级侧驱动器之间设置高压阻隔栅。它创立了一个十分灵敏的架构,可用于需要在初级和 次级侧和/或次级侧驱动器之间进行阻隔的三相电机驱动器,半桥开关,推挽式转换器,其它不间断电源(UPS)运用,及可再生能源和运送。

  内部电源为每通道阻隔电源供给高达2 W的功率,以驱动上、下IGBT,有用地将MCU与高功率电路阻隔。它选用单极性15 V电源供电,供给+20 V / -5 V驱动IGBT栅极和+3.3 V驱动MCU,并在MCU和栅极驱动器之间以及栅极驱动器之间坚持高达4 kV的阻隔电压。

  内置的欠压和过电压维护避免IGBT在最佳窗口以外的栅极电压下作业,而且无需考虑MCU相关条件及问题来历,这些问题或许来自阻隔栅后边的低/高侧IGBT,也或许来自阻隔栅之前的初级侧。

  经过运用电流检测电阻或IGBT去饱满事情,能够完成300 mV阈值的过流维护。 此功用可在集电极电流超越用户设置的值后当即封闭IGBT并告诉MCU,然后做出恰当的决议。

  来自外部MCU的TTL级兼容输入信号可用于操作次级侧驱动器。IXIDM1403选用了双通道双向变压器接口,它可将初级侧输入指令从MCU传输到次级侧,并将信息从次级侧传输到MCU。异步数据传输由窄脉冲完成,以避免变压器的磁芯饱满。

  窄脉冲检测器能够避免十分窄的过错PWM输入信号传输到驱动器。宽度窄于100 ns的输入信号脉冲被按捺,而宽度大于350 ns的脉冲被传输到驱动器。为了避免约束输入脉冲最大宽度,能够只从初级侧发送表明输入信号上升/下降沿的短脉冲,而次级侧用于康复原始脉冲宽度。

  次级侧栅极驱动器将输入的PWM逻辑信号转换为+20 V / -5 V(相对于COMMON)双极栅极驱动信号,具有典型的30 A峰值驱动电流才能。 经过挑选不同值的串联栅极电阻,独立的正负栅极驱动器输出能够在没有外部二极管的状况下优化IGBT导通/截止时刻。

  具有通道A优先级的内置死区时刻推迟电路可避免IGBT一起导通。假如通道B有用且通道A被强制进入导通状况,则通道B当即被禁用,通道A IGBT以预设的推迟时刻敞开。通道A变为非活动状况后,通道B(假如处于活动状况)将以相同的推迟时刻翻开。假如通道A处于活动状况且通道B被强制进入导通状况,则只需通道A坚持活动状况,该指令就会被疏忽。假如在指令激活通道B到期之前通道A变为非活动状况,则通道B在通道A变为非活动状况后以预设推迟时刻变为活动状况。 经过将通道B设置为永久启用且仅操作通道A,单个输入信号源可用于创立半桥装备的互补IGBT开关对。

  栅极A和栅极B输出的脉冲之间的死区时刻由硬件编程为~420 ns。 假如运转特定IGBT所需的死区时刻大于IXIDM1403中完成的死区时刻,则应由MCU编程或在工厂调整到所需值。

  假如内部模块温度超越150°C,过温维护功用会禁用IGBT,当温度降至125°C以下时,将康复正常作业。假如IGBT组件装备温度传感器,IXIDM1403能够将其信号转换给MCU。双通道双向变压器接口答应向MCU传输有关次级侧电源毛病和IGBT过流状况的信息。

  初级侧的一切毛病条件都会在两个驱动器处中止履行PWM周期,而次级侧的一切毛病条件仅在受影响的驱动器处中止PWM周期。 假如在PWM周期开端之前呈现毛病条件,只需存在毛病条件,PWM周期将被疏忽。

  until a restart occurs, which returns the power block to start-up mode.

  IXIDM1403电源块规划用于供给高达2 W的功率,并具有发动形式和运转形式。在发动形式下,转换器经过内部振荡器作业,仅激活部分电源开关,以下降动态电流耗费/功耗。 发动后,转换器激活一切电源开关并进入运转形式。运转形式坚持封闭~1.28 ms。 在发动形式期间禁用发送操作,以最小化次级侧的电流耗费。运转形式开端后,它将持续运转,直到重新发动,这会将电源块返回到发动形式。

  在运转形式下,电源块能够经过内部或外部时钟运转。当用于电机驱动器等多相运用时,运用MCU的外部时钟可最大极限地削减IXIDM1403器材之间的噪声搅扰。转换器的监督计时器可避免因为没有外部时钟而形成的潜在损坏。只需外部时钟周期超越监督计时器的40μs超不时,转换器就会切换到内部时钟。

  每个IXIDM1403 IGBT驱动器还包括一个相对于COMMON引脚的阈值为300 mV的过电流(OC)比较器。过电流维护能够经过运用低值电流感应电阻,具有次级电流感应输出的IGBT或运用去饱满事情来完成。假如发生过电流毛病,则在周期的剩下时刻内将驱动器的输出强制为低电平。正常操作鄙人一个PWM栅极驱动周期开端时康复。

  因为感测电压低,或许需要在电流感测输入处设置噪声滤波器。过电流比较器有一个内置100 pF电容,与输入并联; 因而,只能增加一个串联电阻来创立这样的滤波器。为避免误跳闸,过电流比较器的输入在IGBT关机期间接地,并在IGBT发动后当即接地3.5μs。当发生过流事情时,输出毛病脉冲发生器会发生一个200 ns的窄脉冲,毛病操控逻辑器运用此脉冲将毛病状况传达给MCU。

  IXIDM1403选用55 x 50 x 28 mm封装,有一个12引脚,1 mm距离FFC连接器,可与MCU通讯,两个5引脚,2.54 mm距离接头,可向IGBT供给信号, 和一个2引脚,2.54毫米距离接头,用于将信号从外部温度传感器转换到MCU。

  图1显现了一个运用示例,其间IXIDM140用于操作IXYS的相脚IGBT模块MIXA225PF1200TSF。

  图1: IXIDM1403 – MIXA225PF1200TSF模块组件

  IXIDM1403选用单极性15 V电源供电,可运转两个1200 V IGBT器材,最大集电极电流为360 A.这种规划答应MCU提示客户有关初级和次级侧的欠压或过压状况,以及 IGBT进入去饱满形式时的过载状况。MCU能够经过该模块供电,不需要独自的电源。 假如用户更喜爱从外部电源驱动MCU,也能够完成这一点。 此外,内部IXIDM1403逻辑能够运用相同的外部电源供电,然后最大极限地下降15 V电源的功耗。

  该规划的典型运用如图2和图3所示。

  图2:三相电机驱动器的典型运用电路

  图3:全桥逆变器的典型运用电路

  图4和图5显现了MIXA225PF1200TSF模块作为负载时的典型IXIDM1403功用。

  图4:在IXIDM1403通道A和通道B永久启用的状况下,MIXA225PF1200TSF和单个信号源以互补形式作业

  在上升边际输入到输出传输推迟

  通道1 – 赤色 – IGBT模块引脚#3,4电压

  通道2 – 绿色 – IXIDM1403通道A输入信号

  通道3 – 品赤色 – IXIDM1403通道B输入信号

  留意:图4的下面部分相对上面部分扩大了10倍。

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