图中C1上的电压为经过桥式整流后的电压，Rs1采样流过MOS管的电流，进行逐周期限电流操控，使MOS管的电流峰值不至于太大，保证负载短路时变压器不发生磁饱满。使用辅佐绕组完结变压器一次绕组的电流过零检测(APFC变压器去磁)，操控功率开关管Q2重新开始下一个开关导通作业周期的作业，FAN7527B的Idet引脚外接的电阻R4阻值在几十千欧的范围内，使电路作业于“准零电压导通”的作业方式。
R4电阻值取值和变压器的一次绕组的电感量和功率开关管MOSFET的输出电容有关，详细电阻值能够经过试验来确认，本电路中取值为33K。Rs2采样负载LED电流信号，R7、R8构成分压网络对LED上的电压进行采样。
Rs2采样LED上的电流与TM101上的基准信号CVin进行比较，经差错经放大器对输出进行恒流操控，LED的亮度和流过LED的电流巨细根本成正比的，只需操控流过LED的电流巨细就能够调理LED的亮度。
R7、R8采样LED上的电压与TM101上的基准信号CVin进行比较，经差错放大器对输出电压操控，送入TM101的这两路信号相“与”后经过光耦送入操控芯片FAN7527B的差错放大器进入乘法器。
乘法器另一路是经过R13、R19、R23和R27采样经全波整流后的市电信号，这两路信号的乘积便是乘法器输出，该输出信号使得电感电流盯梢乘法器的输出波形信号，发生的PWM脉冲操控MOS管Q1的开关，完结对负载电流和输入电流的操控，完结LED完结对LED的恒流限压操控和输入功率因数的校对。选用反激式拓扑的LED驱动电源电路图：
