在Realview MDK中，Flash烧写算法不是通用的，都是针对具体的Flash存储芯片的。因为市面上的Flash品种比较多，所以Realview MDK不可能包含一切的Flash芯片烧写程序。但是在具体的运用中，开发者在Realview MDK中可能会找不到自己所需求的Flash烧写程序，这时，用户就必须自己增加Flash烧写程序。本文将具体的讨论这种办法。
Realview MDK现已界说好了增加到其间的Flash烧写算法的接口，包含1个描绘Flash芯片的结构体和6个对Flash芯片操作的函数界说。具体的内容能够参阅下面的代码。
struct FlashDevice {
unsigned short Vers; // 体系结构及版本号；
char DevName[128]; // 设备的称号及描绘；
unsigned short DevType; // 设备的类型，例如: ONCHIP, EXT8BIT, EXT16BIT等等；
unsigned long DevAdr; // 默许设备的开始地址；
unsigned long szDev; // 设备的总容量；
unsigned long szPage; // 页面的巨细；
unsigned long Res; // 保存，以便将来扩展之用；
unsigned char valEmpty; // Flash擦除后贮存单元的值；
unsigned long toProg; // 页写函数超时的时刻；
unsigned long toErase; // 扇区擦除函数超时的时刻；
struct FlashSectors sectors[SECTOR_NUM]; //扇区的开始地址及容量设置数组。
};
extern int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsigned long fnc);
extern int UnInit (unsigned long fnc);
extern int BlankCheck (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char pat);
extern int EraseChip (void);
extern int EraseSector (unsigned long adr);
extern int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
extern unsigned long Verify (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
在Realview MDK中，增加Flash烧写算法的本质便是填充上面的那个结构体以及完成那6个函数。至于几个函数是怎么被Realview MDK调用的，用户不用关怀，这些是由Realview MDK主动办理的，只需正确的完成了上面的那些内容，开发者就能够将Realview MDK编译链接后的程序下载到自己的Flash芯片中去。下面是增加一个Flash烧写的具体过程：
1. 在C:KeilARMFlash下新建一个空的子文件夹；
2. 在Flash文件夹中挑选一个已存在的，且和欲增加的Flash算法附近的内容(如 ..ARMFlashLPC_IAP_256) 拷贝到这个新文件中，并将此算法作为新算法的模板；
3. 重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表明新的Flash ROM设备名,如29F400.UV2并用μVision IDE将其翻开；
4. 在对话框Project – Options for Target – Output 中将一切的输出文件名(如 LPC_IAP_256)替换为新的设备名；
5. 修改FlashPrg.C文件并为EraseChip, EraseBlock及ProgramBlock界说函数代码。在函数Init和UnInit中编写算法所需的初始化以及卸载代码；
6. 在文件FlashDev.C中的struct FlashDevice结构体中界说设备参数；
7. 从头编译工程，将在C:KeilARMFlash文件夹下生成*.FLX 格局的Flash编程算法。此文件即为所增加的Flash编程算法；
8. 运用Configure Flash Download 中的Add按钮可将此编程算法文件增加到方针运用工程中。
