在电路中双极晶体管构成了电路的中心,完成了VBE与VT的线性叠加,取得近似为零温度系数的输出电压。图中双极型晶体管Q1和Q2的发射区面积相同,Q3和Q4的发射区面积相同,考虑规划需求,取Q1和Q2的发射区面积为Q3和Q4的发射区面积的8倍。带隙基准电压源中心电路:
在电路中双极晶体管构成了电路的核心,实现了VBE与VT的线性叠加,获得近似为零温度系数的输出电压。图中双极型晶体管Q1和Q2的发射区面积相同,Q3和Q4的发射区面积相同,考虑设计需求,取Q1和Q2的发
在电路中双极晶体管构成了电路的中心,完成了VBE与VT的线性叠加,取得近似为零温度系数的输出电压。图中双极型晶体管Q1和Q2的发射区面积相同,Q3和Q4的发射区面积相同,考虑规划需求,取Q1和Q2的发射区面积为Q3和Q4的发射区面积的8倍。带隙基准电压源中心电路: