咱们日常所用的数码设备，大多数都是运用经过AC适配器生成的直流电压作为输入电压，然后经过电源IC来升降电压。在运用耗电量较高的半导体时，会特别用到100μF以上的滑润用电容器。此外，跟着半导体的低电压化和高速化，为了坚持其作业安稳性，就需要用到低阻抗型的滑润电容器。因而，村田制作所（以下简称“村田”）又进一步扩大了100μF以上的大容量多层陶瓷电容器产品阵型。【图1.100μF多层陶瓷电容器（例：3.2×2.5mm尺度：330μF）】
电容器依据其根本结构、资料的不同，大致分为图2中的几种。从图中咱们能够看到多层陶瓷电容器虽然在静电容量的温度依赖性，施加电压导致有用容量下降（DC偏压特性）方面略有缺乏，但其小型化、高可靠性、高价格竞争力、低阻抗/低ESR*1/低ESL*2等优势非常明显。因而在现在小型、大容量的电容器范畴，多层陶瓷电容器现已成为干流。但超越100μF的大容量滑润用电容器，有必要具有低阻抗，这些产品现在的干流却是导电性聚合物电解电容器。
*1.ESR（Equivalent Series Resistance 等效串联电阻）：电容器阻抗的实践成分。
*2.ESL（Equivalent Series Inductor 等效串联电感）：电容器带有的细小电感成分，谐振频率以上的频率范畴的阻抗由ESL分配。
图2.多层陶瓷电容器的优势/下风（出处：村田制作所）
现在，支撑多层陶瓷电容器大容量化的技能正在不断改造，村田电子现已能确保1μm以下介质层的高精度叠加1000层以上的安稳量产生产技能及薄层化技能，此外，100μF以上的多层陶瓷电容器也正在量产中。
图3.100μF以上陶瓷电容器（3.2×2.5mm尺度/330μF）的内部结构图
因为近几年数码设备运用的半导体不断低电压化，由DC偏压特性引起的容量下降的状况也在不断削减，因而数码设备也开始运用100μF以上的多层陶瓷电容器作为滑润用电容器。
现在，2.0×1.25mm/X5R/4V/100μF、3.2×1.6mm/X5R/6.3V/100μF、3.2×1.6mm/X5R/4V/220μF这三种标准的产品现已商品化。此外，多个项目的100μF以上的多层陶瓷电容器（最大容量：300μF）也已完成商品化。
图4.100μF以上多层陶瓷电容器的产品阵型（2015年8月）
在村田最新的产品阵型中，既有用于一般消费类商场的X5R型（作业温度规模：-55～85℃）产品，又有面向耗电量大、设备内部温度高的使用的X6*型（作业温度规模：-55～105℃），此外更大容量产品的开发也在方案中。
