Q3是一个PNP型开关，此开关操控另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。
试验是想研讨Q3偏置电阻对Q4导通状况的影响。电路的规划需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。可是可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种状况在Q3负载电容R29固守时，往往是由R27取特定规模值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k改变到10M，成果发现Q3的确不必彻底关断Q4就导通了，并且R29的电流不会下降太多，也便是R29的分压没下降多少Q4即可导通，此刻Q3对R29分压影响敏捷下降，Q4开端坚持R29的分压。这个电路的问题在于Q3对Q4的开关边界不行显着，在R27取值适宜的状况下，比方要么小于2M要么大于3M，电路没有问题，否则会导致之前所忧虑的状况。
测验在Q3与Q4之间添加一个二极管，以添加Q4导通的门槛。成果发现有一点点用，可是这个二极管的压降还很小，对开关功能的改进不大。不管把这个二极管换成数个二极管的串联，仍是换成稳压管，漏电流都是个问题，足以形成Q4的弱导通，这儿就不上图了。下一步考虑MOS管。
图1
图2
图3
图4
