电力晶体管简介
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JuncTIon Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路杂乱，驱动功率大；GTR和一般双极结型晶体管的作业原理是相同的。GTR是一种电流操控的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断才能,产生于本世纪70年代，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具有晶体管饱满压下降、开关时间短和安全作业区宽等固有特性，又增大了功率容量，因而，由它所组成的电路灵敏、老练、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机操控、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中使用广泛。GTR的缺陷是驱动电流较大、耐浪涌电流才能差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内，GTR正逐渐被功率MOSFET和IGBT所替代。它的符号如图1,和一般的NPN晶体管相同。
