一、前语：
跟着RF通讯体系商场的增加，越来越多的RF器材用MOS工艺完成，包含电感和电容。就电感而言，现在的大都研讨集中于片上无源电感的完成和建模。 无源电感大多用来取得较好的匹配和功率增益，虽然经过运用立体电感或是微机电工艺能够战胜片上无源电感的低Q等缺陷，却无法处理其占用面积过大的缺陷。在低噪声放大器中，一个1～2nH的电感所占用的面积或许超越其他悉数有源器材所占面积之和。并且，一个良好片上无源电感的完成常常要求一些特别工艺，难以与干流的数字MOS工艺兼容。因而，在噪声要求并非非常严厉而对面积和价格更为重视的情况下，选用有源电感是一种不错的挑选。
在片上完成有源电感的研讨现已进行多年，有源电感首要用于带通滤波器和低噪声放大器部分。但由于噪声、电感Q值低以及功耗等问题，有源电感在低噪声放大器中的使用亦不多见，首要还处于研讨阶段。Jhy-Neng Yang等在2001年提出了一种改善的高Q值有源电感，处理了Q值及功耗问题。但是却有S11与S21峰值堆叠的问题。在Jhy-Neng Yang等人于2003年提出的高Q值有源电感为负载的宽带LNA中，虽然处理了S11与S21峰值堆叠的问题，却大大增加了噪声（到达8dB）。本文根据以上两文的研讨，对有源电感作了改善，规划了一个根据CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器，在满意功耗及增益目标的情况下处理了S11与S21峰值堆叠的问题并得到较好的噪声目标（不超越5dB）。
文章第二部分介绍有源电感的规划原理，第三部分介绍以有源电感为负载的宽带低噪声放大器的规划，最终给出所规划电路与已有的电路的性能参数比较。
二、有源电感原理
现在对CMOS有源电感的等效模型的研讨已较多。典型的简略的级联CMOS有源电感如图1所示。此电路利用了器材的寄生参数。剖析电路的等效小信号模型，可得
