在本《电源规划小贴士》中，咱们将终究对一种预算热插拔 MOSFET 温升的简略办法进行研究。在《电源规划小贴士28》中，咱们评论了怎么规划温升问题的电路相似办法。咱们把热源建模成了电流源。依据体系组件的物理特点，核算得到热阻和热容。广泛整个网络的各种电压代表各个温度。
本文中，咱们把图 1 所示模型的瞬态呼应与图 3 所示揭露刊发的安全作业区域（SOA 曲线）部分进行了比照。
图 1 将散热容加到 DC 电气模仿电路上
依据 CSD17312Q5 MOSFET、引线框以及贴装 MOSFET 的印制电路板 (PWB) 的物理特点，预算得到图 1 的各个值。在检查模型时，能够确认几个重要的点。PWB 到环境电阻（105oC/W）为到环境的最低电阻通路，其设定了电路的答应 DC 损耗。将温升约束在 100oC，可将电路的答应 DC 损耗设定为 1 瓦。其次，存在一个 10 秒钟的 PWB 相关时刻恒量，所以其使电路板彻底发热的时刻适当长。因而，电路能够接受更大的电脉冲。例如，在一次短暂的脉冲期间，一切热能对芯片热容充电，一起在更小程度上引线框对热容充电。经过假定一切能量都存储于裸片电容中并求解方程式(dV = I * dt / C)得到 I，咱们能够预算出芯片电容器能够存储多少能量。成果是，I =dV * C /dt = 100 oC * 0.013F / 1ms =1300 瓦，其与图 3 的 SOA 曲线图相共同。
图 2 显现了图 1 的仿真成果以及由此发生的电压呼应。其功耗为 80 瓦，不同的时刻恒量一眼便能看出。绿色曲线为裸片温度，其敏捷抵达一个 PWB 相关稳定电压（蓝色曲线）。您还能够看到一个引线框的第二时刻恒量（赤色曲线），其略微有一些滞后。终究，您还能够看见 PWB 的近似线性充电，由于大多数热能（电流）都流入其散热%&&&&&%。
图 2 热能流入 PWB 时清晰显现的三个时刻恒量
咱们进行了一系列的仿真，旨在验证模型的准确性。图 3 显现了这些仿真的成果。赤色标示表明每次仿真的成果。将一个固定电源（电流）放入电路中，相应距离今后对裸片电压（温升）进行丈量。模型一直匹配 SOA 曲线。这样做的重要性是，您能够运用该模型的一起运用不同的散热片和 PWB 参数。例如，该 SOA 数据是针对缺少强散热才能的最小尺度 PWB。咱们能够添加电路板尺度来下降其环境热阻，或许添加铜运用量来供给更好的热传达—终究下降温度。添加铜运用量也能够进步散热才能。
图 3 散热模型与指示点的 MOSFET CSD17312 SOA 曲线共同
下次，咱们将评论取得阻隔偏置电源的一种简略电路，敬请期待。
