近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研讨的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED&System=%E5%8D%83%E5%AE%B6%E7%BD%91″ target=”_blank” key=”” style=”text-decoration: none; color: rgb(11, 59, 140); transition: color 0.2s ease 0s; -webkit-transition: color 0.2s ease 0s; border-bottom-width: 1px; border-bottom-style: dashed; border-bottom-color: rgb(17, 17, 17);”>LED及激光二级管LD 的运用无不说明晰III-V 族元素所蕴藏的潜能。
在现在商品化LED 之资料及其外延技能中，赤色及绿色发光二极管之外延技能大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管现在仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 资料为主。
一般来说，GaN 的成长需要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解，别的一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO Gas 会进行反响发生没有挥发性的副产物。
LED 外延片工艺流程如下：
衬底 – 结构规划- 缓冲层成长- N型GaN 层成长- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层成长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) – 外延片;
外延片- 规划、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) – P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) – 划片- 芯片分检、分级
详细介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有准确几许尺度的薄硅片。此进程中发生的硅粉选用水淋，发生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片外表和氧气发生反响，使硅片外表构成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，避免硅片边际决裂及晶格缺点发生，添加磊晶层及光阻层的平整度。此进程中发生的硅粉选用水淋，发生废水和硅渣。
分档检测：为确保硅片的规范和质量，对其进行检测。此处会发生废品。
研磨：用磨片剂除掉切片和轮磨所造的锯痕及外表损害层，有用改进单晶硅片的曲度、平整度与平行度，到达一个抛光进程能够处理的规范。此进程发生废磨片剂。
清洗：通过有机溶剂的溶解效果，结合超声波清洗技能去除硅片外表的有机杂质。此工序发生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片外表的颗粒物质和金属离子。
详细工艺流程如下：
SPM 清洗：用H2SO4 溶液和H2O2 溶液按份额配成SPM 溶液，SPM 溶液具有很强的氧化才能，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2 和H2O。用SPM 清洗硅片可去除硅片外表的有机污物和部分金属。此工序会发生硫酸雾和废硫酸。
DHF 清洗：用必定浓度的氢氟酸去除硅片外表的天然氧化膜，而附着在天然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，一起DHF 按捺了氧化膜的构成。此进程发生氟化氢和废氢氟酸。
APM 清洗：APM 溶液由必定份额的NH4OH溶液、H2O2 溶液组成，硅片外表因为H2O2 氧化效果生成氧化膜(约6nm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后当即又发生氧化，氧化和腐蚀重复进行，因而附着在硅片外表的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处发生氨气和废氨水。HPM 清洗：由HCl 溶液和H2O2 溶液按必定份额组成的HPM，用于去除硅外表的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序发生氯化氢和废盐酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅外表发生的氧化膜。
磨片检测：检测通过研磨、RCA 清洗后的硅片的质量，不契合要求的则重新进行研磨和RCA 清洗。
腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片外表受加工应力而构成的损害层，一般选用化学腐蚀去除。腐蚀A 是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损害层，发生氟化氢、NOX 和废混酸;腐蚀B 是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损害层，发生废碱液。本项目一部分硅片选用腐蚀A，一部分选用腐蚀B。分档监测：对硅片进行损害检测，存在损害的硅片从头进行腐蚀。
粗抛光：运用一次研磨剂去除损害层，一般去除量在10~20um。此处发生粗抛废液。
精抛光：运用精磨剂改进硅片外表的微粗糙程度，一般去除量1um以下，然后的到高平整度硅片。发生精抛废液。
检测：检查硅片是否契合要求，如不契合则重新进行抛光或RCA清洗。
检测：检查硅片外表是否清洁，外表如不清洁则重新冲洗，直至清洁。
包装：将单晶硅抛光片进行包装。
芯片到制造成小芯片之前，是一张比较大的外延片，所以芯片制造工艺有切开这快，便是把外延片切开成小芯片。它应该是LED制造进程中的一个环节。
LED晶片的效果：
LED 晶片为LED 的首要原资料，LED 首要依托晶片来发光。
LED 晶片的组成：
首要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED 晶片的分类
1、按发光亮度分：
A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E 等
B、高亮度：VG﹑VY﹑SR 等
C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE 等
D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E、红外线接收管：PT
F、光电管：PD
2、按组成元素分：
A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G 等
B、三元晶片(磷﹑镓﹑砷)：SR﹑HR﹑UR 等
C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
LED 晶片特性表：
LED 晶片类型发光色彩组成元素波长(nm)晶片类型发光色彩组成元素波长(nm)
SBI 蓝色lnGaN/sic 430 HY 超亮黄色AlGalnP 595
SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色GaAsP/GaP 610
DBK 较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE 超亮桔色AlGalnP 620
SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色AlGalnP 620
DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮赤色AlGalnP 630
DGM 较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635
PG 纯绿GaP 555 R 赤色GAaAsP 655
SG规范绿GaP 560 SR 较亮赤色GaA/AS 660
G绿色GaP 565 HR 超亮赤色GaAlAs 660
VG 较亮绿色GaP 565 UR 最亮赤色GaAlAs 660
UG 最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697
Y黄色GaAsP/GaP585 HIR 红外线GaAlAs 850
VY 较亮黄色GaAsP/GaP 585 SIR 红外线GaAlAs 880
UYS 最亮黄色AlGalnP 587 VIR 红外线GaAlAs 940
UY 最亮黄色AlGalnP 595 IR 红外线GaAs 940
其它：
1、LED晶片厂商称号：A、光磊(ED) B、国联(FPD)C、鼎元(TK)D、华上(AOC)E、汉光(HL) F、AXT G、广稼。
2、LED 晶片在出产运用进程中需注意静电防护。
