rom eeprom ram flash 的差异

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是现在读写最快的存储设备了，可是它也非常贵重，所以只在要求很严苛的当地运用，比方CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保存数据的时刻很短，速度也比SRAM慢，不过它仍是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM比较SRAM要廉价许多，计算机内存便是DRAM的。

DRAM分为许多种，常见的首要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这儿介绍其间的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是根本相同的，不同之处在于它能够在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是现在电脑中用得最多的内存，而且它有着本钱优势，事实上打败了Intel的别的一种内存规范－Rambus DRAM。在许多高端的显卡上，也装备了高速DDR RAM来进步带宽，这能够大幅度进步3D加速卡的像素烘托才能。

内存作业原理：

内存是用来寄存其时正在运用的（即履行中）的数据和程序，咱们往常所说到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的”动态”，指的是当咱们将数据写入DRAM后，经过一段时刻，数据会丢掉，因而需求一个额外设电路进行内存改写操作。

详细的作业进程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0仍是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时刻一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这便是数据丢掉的原因；改写操作定时对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则以为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则以为其代表0，并把电容放电，藉此来坚持数据的连续性。 + i$ y$ g* G9 f

ROM也有许多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也便是软件灌入后，就无法修改了，这种是前期的产品，现在现已不行能运用了，而EPROM是经过紫外光的照耀擦出原先的程序，是一种通用的存储器。别的一种EEPROM是经过电子擦出，价格很高，写入时刻很长，写入很慢。

举个比方，手机软件一般放在EEPROM中，咱们打电话，有些最终拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是立刻写入经过记载（通话记载保存在EEPROM中），因为其时有很重要作业（通话）要做，假如写入，绵长的等候是让用户深恶痛绝的。

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的利益，不只具有电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还不会断电丢掉数据一起能够快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的便是这种存储器。在曩昔的20年里，嵌入式体系一向运用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，可是近年来Flash全面替代了ROM（EPROM）在嵌入式体系中的位置，用作存储Bootloader以及操作体系或许程序代码或许直接当硬盘运用（U盘）。

现在Flash首要有两种NOR Flash和NADN Flash。

NOR Flash的读取和咱们常见的SDRAM的读取是相同，用户能够直接运转装载在NOR FLASH里边的代码，这样能够削减SRAM的容量然后节省了本钱。

NAND Flash没有采纳内存的随机读取技能，它的读取是以一次读取一块的方式来进行的，一般是一次读取512个字节，选用这种技能的Flash比较廉价。用户不能直接运转NAND Flash上的代码，因而许多运用NAND Flash的开发板除了运用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运转发动代码。

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作体系等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH运用是嵌入式体系选用的DOC（Disk On Chip）和咱们一般用的”闪盘”，能够在线擦除。现在市面上的FLASH 首要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而出产NAND Flash的首要厂家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比较

NOR和NAND是现在商场上两种首要的非易失闪存技能。Intel于1988年首先开宣布NOR flash技能，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM统一天下的局势。紧接着，1989年，东芝公司宣布了NAND flash结构，着重下降每比特的本钱，更高的功能，而且象磁盘相同能够经过接口轻松升级。可是经过了十多年之后，依然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相”flash存储器“常常能够与相”NOR存储器”交换运用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技能相关于NOR技能的优胜之处，因为大多数情况下闪存仅仅用来存储少数的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的抱负解决方案。

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NOR是现在商场上首要的非易失闪存技能。NOR一般只用来存储少数的代码；NOR首要运用在代码存储介质中。NOR的特点是运用简略、无需专门的接口电路、传输效率高，它是归于芯片内履行(XIP, eXecute In Place)，这样运用程序能够直接在（NOR型）flash闪存内运转，不用再把代码读到体系RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的本钱效益，可是很低的写入和擦除速度大大影响了它的功能。NOR flash带有SRAM接口，有满足的地址引脚来寻址，能够很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占有了容量为1～16MB闪存商场的大部分。

NAND结构能供给极高的单元密度，能够到达高存储密度，而且写入和擦除的速度也很快。运用NAND的困难在于flash的办理和需求特别的体系接口。

1、功能比较:

flash闪存对错易失存储器，能够对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器材的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前有必要先履行擦除。NAND器材履行擦除操作是非常简略的，而NOR则要求在进行擦除前先要将方针块内一切的位都写为1。

因为擦除NOR器材时是以64～128KB的块进行的，履行一个写入/擦除操作的时刻为5s，与此相反，擦除NAND器材是以8～32KB的块进行的，履行相同的操作最多只需求4ms。

履行擦除时块尺度的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的功能距离，计算标明，关于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作有必要在根据NOR的单元中进行。这样，当挑选存储解决方案时，设计师有必要权衡以下的各项要素：

NOR的读速度比NAND稍快一些。

NAND的写入速度比NOR快许多。

NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

大多数写入操作需求先进行擦除操作。

NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

(注：NOR FLASH SECTOR擦除时刻视品牌、巨细不同而不同，比方，4M FLASH，有的SECTOR擦除时刻为60ms，而有的需求最大6s。)

2、接口不同:

NOR flash带有SRAM接口，有满足的地址引脚来寻址，能够很容易地存取其内部的每一个字节。

-器材运用杂乱的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的办法或许各不相同。8个引脚用来传送操控、地址和数据信息。

3、容量和本钱:

NAND flash的单元尺度几乎是NOR器材的一半，因为出产进程更为简略，NAND结构能够在给定的模具尺度内供给更高的容量，也就相应地下降了价格。

NOR flash占有了容量为1～16MB闪存商场的大部分，而NAND flash仅仅用在8～128MB的产品傍边，这也阐明NOR首要运用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡商场上所占比例最大。