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东芝展出新款超结结构MOSFET 缩短内置二极管反向恢复时间

本站为您提供的东芝展出新款超结构造MOSFET 缩短内置二极管反向恢复时间,日前,东芝开发了提高内置二极管恢复特性的构造MOSFET“DTMOS”,并将于5-14日至16日在PCM 2013大会上展示。据悉,该产品耐压为600V,缩短了内置二极管反向恢复时间。

  东芝开宣布进步了内置二极管(体二极管)康复特性的超结(Super JuncTIon)结构MOSFET“DTMOS”,并在2013年5月14~16日于德国纽伦堡举办的功率电子技术大会“PCIM 2013”进步行了展现。新产品的耐压为600V,与该公司原产品比较,缩短了内置二极管的反向康复时间(trr)。

  此次东芝展出了三款开发产品,包含最大电流为15.8A、导通电阻为0.23Ω的“TK16A60W5”;最大电流为30.8A、导通电阻为0.099Ω的“TK31A60W5”;以及最大电流为38.8A、导通电阻为0.074Ω的“TK39A60W5”。

  内置二极管的反向康复时间方面,TK16A60W5为100ns(标称值),而东芝的原产品则为280ns。新产品的温度特性也进一步进步,在150℃的温度下作业时,反向康复时间为140ns。据解说员介绍,“其他公司产品的反向康复时间大都在160ns左右”。

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