MOS管的开关特性
1、静态特性
MOS管作为开关元件，相同是作业在截止或导通两种状况。因为MOS管是电压控制元件，所以首要由栅源电压uGS决议其作业状况。
作业特性如下：
uGS敞开电压UT：MOS管作业在截止区，漏源电流iDS根本为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处于“断开”状况，其等效电路如下图所示。
uGS》敞开电压UT：MOS管作业在导通区，漏源电流iDS=UDD/（RD+rDS）。其间，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），假如rDS《RD，则uDS≈0V，MOS管处于“接通”状况，其等效电路如上图（c）所示。
2、动态特性
MOS管在导通与截止两种状况发作转化时相同存在过渡进程，但其动态特性首要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时刻，而管子自身导通和截止时电荷堆集和散失的时刻是很小的。下图别离给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。
当输入电压ui由高变低，MOS管由导通状况转化为截止状况时，电源UDD通过RD向杂散电容CL充电，充电时刻常数τ1=RDCL，所以，输出电压uo要通过必定延时才由低电平变为高电平。
当输入电压ui由低变高，MOS管由截止状况转化为导通状况时，杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电，其放电时刻常数τ2≈rDSCL。可见，输出电压Uo也要通过必定延时才干转变成低电平。但因为rDS比RD小得多，所以，由截止到导通的转化时刻比由导通到截止的转化时刻要短。
因为MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱满电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时刻较长，使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过，在CMOS电路中，因为充电电路和放电电路都是低阻电路，因而，其充、放电进程都比较快，从而使CMOS电路有较高的开关速度。
