常见LED芯片的特色剖析:
一、MB 芯片
界说：Metal BONding (金属粘着)芯片;该芯片归于UEC 的专利产品。
特色：
1：选用高散热系数的资料—Si 作为衬底、散热简单。
2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，一起反射光子，防止衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底替代GaAs 衬底，具有杰出的热传导才能(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流范畴。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提高及散热
5: 尺度可加大、使用于High power 范畴、eg : 42mil MB
二、GB芯片
界说：Glue Bonding (粘着结合)芯片;该芯片归于UEC 的专利产品
特色：
1：通明的蓝宝石衬底替代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底相似TS芯片的GaP衬底。
2：芯片四面发光、具有超卓的Pattern
3：亮度方面、其全体亮度已超越TS芯片的水准(8.6mil)
4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片
界说：transparent structure(通明衬底)芯片、该芯片归于HP 的专利产品。
特色：
1：芯片工艺制造杂乱、远高于AS LED
2：信任性杰出
3：通明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4：使用广泛
四、AS芯片
界说：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;
通过近四十年的开展尽力、台湾LED光电业界关于该类型芯片的研制﹑出产﹑出售处于老练的阶段、各大公司在此方面的研制水平根本处于同一水准、距离不大。
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及牢靠度与台湾业界还有必定的距离、在这里咱们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特色：
1：四元芯片、选用 MOVPE工艺制备、亮度相关于惯例芯片要亮
2：信任性优秀
3：使用广泛
