可控硅元件—可控硅整流电路

可控硅元件—可控硅整流电路

一、单相半波可控整流电路

1、作业原理

电路和波形如图1所示，设u2=U2sinω。

图1 单相半波可控整流

正半周：

0＜t＜t1,ug=0,T正向阻断，id=0,uT=u2,ud=0

t=t时,参加ug脉冲，T导通，疏忽其正向压降，uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。

负半周：

π≤t＜2π当u2天然过零时，T自行关断而处于反向阻断状况，ut=0,ud=0,id=0。

从0到t1的电度角为α，叫操控角。从t1到π的电度角为θ，叫导通角，明显α+θ=π。当α=0，θ=180度时，可控硅全导通，与不控整流相同，当α=180度，θ=0度时，可控硅全关断，输出电压为零。 

2、各电量联系

ud波形为非正弦波，其平均值（直流电压）：

由上式可见，负载电阻Rd上的直流电压是操控角α的函数，所以改动α的巨细就可以操控直流电压Ud的数值，这便是可控整流含义之地点。

流过Rd的直流电流Id：

Ud的有效值（均方根值）：

流过Rd的电流有效值：

因为电源供给的有功功率P=UI，电源视在功率S=U2I（U2是电源电压有效值），所以功率因数：

由上式可见，功率因数cosψ也是α的函数，当α=0时，cosψ=0.707。明显，关于电阻性负载，单相半波可控整流的功率因数也不会是1。

比值Ud/U、I/Id和cosψ随α的改变数值，见表1，它们相应的联系曲线，如图2所示

表1 Ud/U、I/Id和cosψ的联系