晶体硅光电池

晶体硅光电池
 
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，经过磷（或硼）分散构成Pn结成制造，生产技能老练，是光伏市场上的主导产品。选用埋层电极、外表钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及触摸电极等技能，进步材猜中的载流子搜集功率，优化抗反肘膜、凹凸外表、高反射背电极等方法，光电转化功率有较大进步。单晶硅光电池面积有限，现在比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。
    现在首要课题是持续扩展工业规划，开发带状硅光电池技能，进步资料利用率。世界公认最高功率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的功率在AMO条件约为13.5—18％地上用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝结法成长的铸造多晶硅锭替代＃晶硅，可降低本钱，但功率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，想方设法进一步降本钱，进步功率，大晶粒多晶硅光电池的转化功率最高18.6%。