您的位置 首页 FPGA

(8月)PFC电路MOS管使用电路振动问题剖析

本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理,通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因,并结合实际应用给出具体的解决措施和方案,通过实验及大批量的生产验证表明,措施有效,稳定且

导言

场效应管MOSFET是开关电源中中心的器材之一,MOSFET因导通内阻低、开关速度快等长处被广泛运用于开关电源的各种拓扑架构中,也是影响电源可靠性的重要器材。因而,MOS管的运用及匹配在开关电源中就显得尤为重要。

本文介绍了传统PFC电路MOS管在运用过程中发生振动的机理,经过详细的事例剖析了因MOS振动引起损坏的各种原因。

image.png

图1 PFC电路原理图

1   PFC电路作业原理

PFC(功率因数校对)主要是对输入电流波形进行操控,使其同步输入电压波形。功率因数是指有功功率与视在功率的比值。功率要素能够衡量电力被有用运用的程度,当功率要素值越大,代表其电力运用率越高。 开关电源 是1种电容输入型电路,其电流和电压之间的相位差会形成交流功率的丢失,因而需求PFC电路进步功率因数。现在的PFC有2种,被动式PFC(也称无源PFC)和自动式PFC(也称有源式PFC)。一般选用自动式PFC电路进步开关电源功率因数,如图1所示。

在上述电路中,PFC电感L1在MOS管Q1导通时贮存能量,在开关管Q1截止时,电感L1上感应出右正左负的电压,将导通时贮存的能量经过升压二极管D2对大滤波电容C3充电,输出能量,只不过其输入的电压是没有经过滤波的脉动电压。特别地,PFC电感L1上都并联着1个二极管D1,该二极管D1一方面下降对PFC电感和升压二极管的浪涌冲击,另一方面维护PFC开关管。经过此电路,然后完成输入电压和电流波形的同相位,大大进步对电能的运用功率。

image.png

图2 PFC MOS驱动波形

2   MOS管振动原理剖析

一般地,为了改进PFC电路引起的电源EMI(电磁搅扰),一般在PFC MOS管的D、S间并联1个高压电容,容值一般为(47~220)pF,在PFC升压二极管D2上并联1个高压电容,一般取值为(47~100) pF。对一般的MOS管运用而言,在开关机及正常运用过程中,不会呈现异常。可是当MOS管寄生参数发生变化时,且在快速开关机过程中,就会呈现显着的驱动波形振动(如图2),严峻时引起MOS管的损坏。

经过对PFC MOS管进行测验和深入剖析发现,MOS管的寄生参数对振动起着关键作用。经过电路试验模仿和仿真,证明了这一现象发生的根本原因。图3为PFC MOS管的等效电路图。

image.png

图3 为PFC MOS管的等效电路图

MOS管除了3个极之间的Cgd、Cds和Cgs寄生电容外,在G极、D极和S极别离串有寄生电感Lg、Ld和Ls,这些寄生电感主要由MOS管的引脚原料和引脚长度决议,它们是实在存在的。当为了改进电路的EMI时,一般在MOS管D、S间并联高压电容,在此为了模仿试验,选用Cds(ext) 470 pF来阐明,MOS管导通电阻为Rdson。在开机过程中,参加的回路阐明如下:

1)PFC二极管D2的反向恢复电流通路为:D2经Ld和Rdson,再到Ls。

2)在米勒渠道期间,Cds、Cds(ext)及Cgd放电,放电能量贮存在Ld、Ls和Lg中,放电回路别离为:

①Cds经过Rdson放电,Ld、Ls和Lg不参加谐振;

②Cds(ext) 放电回路别离为:

Cds(ext)→Ld→Rdson→Ls→Cds(ext),和

Cds(ext)→Ld→Cgd→Cgs→Ls→Cds(ext),及

Cds(ext)→Ld→Cgd→Lg→PFC IC→Cds(ext)

从上述回路能够看出,放电能量别离贮存在Ld、Ls和Lg中。

③ Cgd放电回路为:

Cgd→Rdson→Cgs→Cgd,和

Cgd→Rdson→Ls→PFC IC→Lg→Cgd

从上述回路能够看出,放电能量别离贮存在Ls和Lg中。

因为上述寄生电容和寄生电感及外接电容Cds(ext)的通路存在,在PFC MOS管重复开关机过程中,引起驱动波形的振动,严峻时,引起开关MOS的损坏。

经过仿真电路,也可模仿出相似的波形,其仿真成果如图4。

image.png

图4(a) PFC MOS仿真参数图

image.png

图4(b) PFC MOS仿真波形

3   MOS管振动问题处理办法及作用承认

针对PFC MOS在运用过程中振动引起的损坏问题,结合上述MOS管振动机理的剖析,在实践运用中,采纳的对策如下。

1)在PFC升压二极管上尽量不添加电容,防止因该电容引起二极管反向恢复时间加大,然后引起MOS管振动加重,形成损坏。

2)在PFC MOS管的漏极(D极)串联磁珠,因为磁珠表现为高频阻抗特性,用于按捺快速开关机时MOS引起的串联谐振。

3)为了处理因PFC MOS引起的EMC问题,一般在PFC MOS管的漏-源极(D-S极)间并联(47~220) pF的高压电容,为了防止与MOS内部的寄生电感引起振动,尽量不添加此电容。若因EMC必需添加时,需与MOS管漏极磁珠一起运用。

详细原理图如图5所示。

image.png

图5 改进后的PFC原理图

从图6实践测验波形能够看出,选用上述办法后,在快速开关机时,MOS管栅极波形消除了瞬态尖峰,然后确保MOS管快速开关机时的应力要求,防止因振动形成的损坏问题。  

image.png

图6(a) 改进前PFC驱动波形(绿色)

image.png

图6(b) 改进后PFC驱动波形(绿色)

4   结语

本文针对MOS管寄生参数引起振动形成损坏问题,进行了理论剖析和电路仿真模仿,得出了MOS管除了寄生电容外,还存在因为MOS引脚原料和长短引起的寄生电感,并经过实践的事例进行了验证,证明了寄生电感的存在。经过添加切实有用的对策,防止了因寄生电容和寄生电感振动引起的PFC MOS损坏,具有极大的规划参阅含义。

参阅文献:

[1] 钟炎平.电力电子电路规划[M].武汉:华中科技大学出版社,2010.

[2] 康华光.电子技术根底[M].北京:高等教育出版社,2009.

[3] 张占松,蔡宣三.开关电源的原理与规划.北京:电子工业出版社,2004.

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/fangan/fpga/122561.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部