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600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET将功能提升到全新水准

凭借600 V CoolMOS#8482; CFD7,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS#8482

凭仗600 V CoolMOS™ CFD7,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出最新的高压超结MOSFET技能。该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满意了高功率SMPS商场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具有业界抢先的功率和可靠性。这使其十分合适服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS使用。

该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的功率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不只具有快速开关技能的一切优势,还兼具高换相安定性,一起不影响在规划过程中的轻松布置。该600 V CoolMOS CFD7具有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断功能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)比商场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器材供给业界抢先的解决方案,然后可以支撑高功率密度解决方案。

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