一、稳妥丝
分类：从封装上分为直插式和贴片式，其间直插式的又分径向引线和纵向引线式。
从时刻上分为速断、中等慢断、慢断等。
从原料上分为陶瓷、玻璃、塑料等。
选型：作为稳妥丝除了挑选其封装、时刻、以及原料，额外电压、电流等，最首要的是看I平方/T，即A平方/S，这是挑选稳妥丝的要害点，一般都是用示波器捕捉浪涌电流，然后积分(能够近似计算)，得出A平方/S。
举例：
以上是给青岛某客户做的一适配器电源白盒测验的截图，得到A平方/S为3.912，那么咱们就的去查稳妥丝的规格书，对应的参数有必要比3.912要大一个等级，查表得到比3.912大一个等级的为5.87，对应稳妥丝为1.6A，250V。一般电路中整流桥后边有电解电容的，挑选慢断型的。
二、压敏电阻
分类：从原料上分一般分为SrTiO3(钛酸锶)陶瓷和ZnO(氧化锌)陶瓷，尽管SrTiO3(钛酸锶)陶瓷这种原料的好，功能优秀，但价格高，所以现在作为电源镇流器类用ZnO的仍是居多。
从用途上分一般分为维护型、浪涌按捺型、功率型，现在咱们用的都是浪涌按捺型。
选型：除了外观尺度，原料，封装等最首要的选型仍是看以下。
不同厂家都有自己的命名，并且有的是根据dc电压分的，有的是根据ac电压分的，如我司现在的CNR、EPCOS。无论是哪种命名方法，但挑选的原理都是相同的。
根据不同的资料，原理有两种：
一种是最高输入电压*1.414*1.2~1.4，来挑选(dc电压法)。
举例：输入电压为85-264Vac，则264*1.414*1.2~1.4=447.9~522.6dc，也便是挑选471-511的规模，假如厂家命名的是ac的，则把*1.414去掉，即264*1.2~1.4=316.8~369.6ac，也便是挑选321~381ac。(321上一个档是381，以EPCOS为例
另一种是根据在1mA时转机电压来选取。
见下面截图，以EPCOS为例：
三、热敏电阻
分类：按温度分：负温度系数/正温度系数/临界温度热敏电阻，英文字母表明为NTC/PTC/CTR.
按封装分：直插式和贴片式。
其资料一般都是半导体陶瓷。
选型：除根本参数尺度，25°C的阻值 零功率R25，B值，别的有两点需求留意：
1. 耗散系数δ
δ=ΔP/ΔT (mW/℃)
即：在规则的环境温度下，热敏电阻器耗散功率改变率与其相应温度改变之比。它表明使热能电阻体升高1℃温度所需耗费的功率。在作业温度规模内，δ随环境温度改变而有所改变。
2. 额外功率Pr
额外功率=耗散系数δ×(最高运用温度Tmax-25℃)
比较兴勤和时恒家的热敏电阻：
时恒家的为：热耗散系数(mw/℃): 20
兴勤家的为：热耗散系数(mw/℃): 21
咱们根据上面的公式算一下额外功率：
比方Tmax温度为200°C，则额外功率为耗散系数δ×(最高运用温度Tmax-25℃)，时恒家的为：3.5W，兴勤家的为：3.675W。
这个仅仅个参考值。
四、X电容、Y电容(安规电容)
X电容分类：依照耐压不同分为X1 X2 X3三种。
1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,
2. X2耐高压小于等于2.5 kV,
3. X3耐高压小于等于1.2 kV
现在咱们家都用X2电容，性价比高。
X电容首要用于跨接L/N之间，滤去差模噪声。
Y电容分类：依照耐压不同分为Y1 Y2 Y3 Y4四种。
1. Y1耐高压大于8 kV,
2. Y2耐高压大于等于5 kV,
3. Y3 NA
4. Y4耐高压大于等于2.5kV
需求留意的是：Y1归于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧.Y2则归于根本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对地维护即FG线。
现在X电容常用的是金属化聚丙烯薄膜，绕制结束，两头铜包钢引线，然后放入盒子中，环氧树脂灌封而成，这个工艺中要害仍是铝粉蒸发到薄膜。
国外大部分都是限制而非绕制，所以咱们国产的一般都比不上国外的质量。
选型：只需留意了额外温度，电压，尺度，容量等根本参数，没有什么可难选型的。
现在Y电容常用的是陶瓷介质，经过焊料和镀锡铜包钢引线焊接，然后环氧树脂封装而成。
选型：留意额外温度，电压，尺度，容量等根本参数，首要看其温度特性是什么，如B(Bn) E R F等，现在比较好的是B(Bn)温度特性的，以及损耗角的正切值以及漏电流(一般从1-10mA之间)。
温度特性曲线如下:
五、 MOS 管
分类：按沟道分 N沟道和P沟道。
按资料分 结型和绝缘栅型。
按功率分 大中小三种。
其间留意所用MOS是增强型仍是耗尽型。
现在咱们都是用的绝缘栅-增强型-N沟道MOS。
选型：MOS管的选型比较复杂，讲起来比较费唾沫。
现以N沟道增强型MOS管STW9NB90为例解说：
肯定最大额外值
从上而下依次为：
漏源电压 MOS管的实践最大的电压有必要为此电压的88%降额。(由于-40时MOS管的反压是本来反压的92%左右，当然假如低温不是-40就另当别论)
漏栅电压
栅源电压 栅极驱动脉冲电压幅值一般在最大不要超越25V，这是关于+/-30V的而言，假如是+/-25的话，一般不要超越20V，当然以上说的是极限值，一般都不会用到极限值，MOS管最佳注册电压幅值为10V，低驱动电压MOS在外)
漏极电流(25°C时)
漏极电流(100°C时) MOS管在极限条件(空气对流的状况在外)下一般都会抵达这个温度，所以选型时看此刻的电流，不要看25°C，没有意义)
脉冲漏极电流
总功耗 这个功耗便是N沟道所能答应的功耗，一般为稳妥起见，电源或镇流器是多大功率的，要选的此值接近于其功率，当然终究以测验温升为评判根据。
额外值下降因子
二极管反向峰值电压(如同只要ST厂家的有此项)
贮存温度
最大作业结温
热阻
雪崩能量
电气特性
因项目多，所以选几个重点项目解说：
沟道电阻Rdson 除了开关损耗，另一个重要损耗便是沟道电阻的损耗。
米勒电容充电电荷量Qgd 这个首要以示波器测验米勒渠道波形为准。
反向恢复时刻trr 寄生二极管反向恢复时刻(有的芯片如半桥的，死区时刻选的理论能够，为什么还会呈现上下桥臂一起通的状况，原因就在于此，trr太长，国外品牌的一般都不会出问题，国产的标的很好，时刻根本就达不到，很是不靠谱)
