AMOLED(AcTIve Matrix/Organic Light EmitTIng Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板。比较传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特征。
因为AMOLED不论在画质、效能及本钱上，先天体现都较TFT LCD优势许多。这也是许多世界大厂尽管良率难以打破，仍然不抛弃开发AMOLED的原因。现在还继续投入开发AMOLED的厂商，除了现已宣告产品上市时刻的 Sony，出资东芝松下Display(TMD)的东芝，以及别的又独自进行产品开发的松下，还有声称不看好的夏普。2008年8月发布的NOKIA N85，以及2009年第一季度上市的NOKIA N86都选用了AMOLED。
在显现效能方面，AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广，这些是AMOLED天生就胜过TFT LCD的当地;别的AMOLED具自发光的特征，不需运用背光板，因而比TFT更能够做得轻浮，并且更省电;还有一个更重要的特征，不需运用背光板的 AMOLED能够省下占TFT LCD 3~4成比重的背光模块本钱。
AMOLED的确是很有魅力的产品，许多世界大厂都很喜爱，乃至是手机商场最抢手的产品iPhone，都对AMOLED有爱好，信任在良率进步之后，iPhone也会考虑选用AMOLED，特别AMOLED在省电方面的特征，很合适手机，现在AMOLED面板耗电量大约仅有TFT LCD的6成，未来技能还有再下降的空间。
当然AMOLED最大的问题仍是在良率，以现在的良率，AMOLED面板的价格足足高出TFT LCD 50%，这对客户许多选用的志愿，肯定是一个门槛，而对奇晶而言，现阶段也还在调良率的练兵期，不敢容易许多接单。
(1)金属氧化物技能(Metal oxide TFT)
这种出产技能现在被许多厂家及专业查询公司看好，并认为是将来大尺度AMOLED技能道路的首选，各个公司也有相应的大尺度样品展出。
该技能TFT基板在加工进程中，可采纳液晶职业中常见的、老练的大面积的溅镀成膜的方法，氧化物为InGaO3(ZNO)5，尽管这种器材的电子迁移率较LTPS技能出产出来的产品要低，根本为10 cm2/V-sec，但这个迁移率参数为非晶硅技能器材的10倍以上，该器材电子迁移率彻底能够满意AMOLED的电流驱动要求，因而能够应用于OLED的驱动。
现在金属氧化物技能还处于实验室验证阶段，世界上没有真实进行过量产的经历，首要的要素是其再现性及长时间作业稳定性还需要进一步改进和承认。
(2)低温多晶硅技能(LTPS TFT)
该技能是现在世界上仅有通过商业化量产验证、在G4.5代以下出产线适当老练的AMOLED出产技能。
该技能和非晶硅技能首要的区别是运用激光晶化的方法，将非晶硅薄膜变为多晶硅，从而将电子迁移率从0.5进步到50-100 cm2/V-s，以满意OLED电流驱动的要求。
该技能通过多年的商业化量产，产品功能优越，作业稳定性好，一起在这几年的量产中，其良品率已得到很大的进步，到达90%左右，极大的降低了产品本钱。
从以上LTPS的工艺流程能够看出，其和非晶硅技能的首要区别是增加了激光晶化进程和离子注入进程，其它的加工工艺根本相同，设备也和非晶硅出产有相通之处。
别的，晶化的技能也有许多种，现在小尺度最常用的是ELA，其它的晶化技能还有：SLS、YLA等，有的公司也在运用其它的技能研制AMOLED的 TFT基板，例如金属诱导晶化技能，也有相应的样品展出，但这一技能的首要问题是金属会导致膜层间的电压击穿，漏电流大，器材稳定性无法确保(因为 AMOLED器材是特别薄的，各层间加工时确保层面洁净度，避免电压击穿是重要的一项课题)。
LTPS技能的首要缺点有如下几点：
●出产工艺比较复杂，运用的Mask数量为6—9道，初期设备投入本钱高。
●受激光晶化工艺的约束，大尺度化比较困难，现在最大的出产线为G4.5代。
●激光晶化形成Mura严峻，运用在TV面板上，会形成视觉上的缺点。
(3)非晶硅技能(a-Si TFT)
非晶硅技能最成功的应用是在液晶出产工艺中，现在的LCD 厂家，除少数运用LTPS技能外，绝大部分运用的是a-Si技能。
a-Si技能在液晶范畴老练度高，其器材结构简略，一般都为1T1C(1个TFT薄膜晶体管电路，1个存储电容)，出产制作运用的Mask数量为4—5，现在也有厂家在研讨3Mask工艺。
别的，选用a-Si技能进行AMOLED的出产，设备彻底能够运用现在液晶TFT加工的原有设备，初期投入本钱低。
再者，非晶硅技能大尺度化已彻底完成，现在在LCD范畴已做到100寸以上。
尽管在LCD范畴，a-Si技能为干流，但OLED器材是电流驱动方法，a-Si器材很低的电子迁移率无法满意这一要求，尽管也有公司(例如加拿大的IGNIS)在IC的规划进步行了一些改进，但现在还无法从根本上解决问题
LTPS技能首要技能瓶颈在晶化的进程，而a-Si技能尽管制作进程没有技能难题，但匹配的IC的规划难度要高得很，并且现在IC厂商都是以LTPS为干流，对a-Si用IC的开发投入少，因而假如选用a-Si技能进行出产，则IC的来历是一个严峻的瓶颈和掣肘，别的器材的功能将会大打折扣。
(4)微晶硅技能(Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技能在资料运用和膜层结构上，和LCD常见的非晶硅技能根本上是相同的。
微晶硅技能器材的电子迁移率可到达1—10 cm2/V-s，是现在索尼挑选的技能。
这种技能尽管也能到达驱动OLED的意图，但因为其电子迁移率低，器材显现作用差，现在挑选作为研讨方向的厂家较少。
