现在单个UV-LED 芯片不像白光芯片，其功率十分有限，因而为了取得大功率和使大功率UV-LED器材安稳而牢靠的作业，又要做到封装结构简略紧凑，就必须提出UV-LED 阵列规划。也就是说，把多个UV-LED 芯片集成在一个小模块里，然后得到较大光强的光源。选用COB 封装技能，能够尽可能削减从芯片到外部环境之间的触摸层，然后削减热阻，下降资料不匹配的问题。合作外部制冷器，能够让大功率UV-LED 芯片在较低温度下坚持长期的继续高亮度发光，确保UV-LED 光源的牢靠性和安稳性。
因为芯片的发光是从芯片的四周向外界各个方向进行发射，因而在进行UV-LED点光源结构规划时，影响UV-LED 出光功率首要有：1）用于光反射的反射杯结构;2）光线经过透镜的透过率和折射率;3）封装工艺的好坏;4）封装资料的防紫外老化才能。这些参数都会直接影响到UV-LED的出光功率，假如UV-LED 的封装结构里边没有规划反射杯，则很大一部分光线则会丢失，转化成热量，然后也间接地增加了热办理难度。
现在UV-LED 首要有环氧树脂封装和硅胶/玻璃透镜封装。前者首要应用于大于400 nm 的近紫外LED封装，后者首要应用于波长小于400 nm 的LED 封装。又因为GaN和蓝宝石折射率分别为2.4 和1.76 ，而气体折射率为1，较大的折射率差导致全反射约束光的逸出较为严峻，封装后器材的出光功率低。因而在透镜的规划方面，要归纳考虑器材在紫外波段的光透过率、耐热才能和耐紫外老化才能。
依据光的萃取原理，这两种结构均选用了折射率很高的硅胶和玻璃透镜，充沛消除了光的全反射效应，大大进步了出光功率。这两种结构十分相似，都是将 LED芯片直接固晶在陶瓷基板上，陶瓷基板经过锡球焊接在铜铝散热片或热沉上，整个封装结构的热阻较小，外层封装折射率为1.5 的硅胶和玻璃透镜，反射板选用陶瓷基板自带的反射腔体，仅有的差异在于后者多加了一层封装硅胶B，构成折射率递减的三层结构，削减全反射的光线丢失。
在整个封装结构中，树脂层厚度都较薄，能够尽可能地削减硅树脂对紫外光的吸收损耗，且折射率逐层递减的三层结构有利于削减光在传达过程中的菲涅尔损耗。在某些场合，若需更大地进步光线透过率，能够在光学系统各面均镀制光学增透膜。
在上述封装结构中，反射腔体的规划也尤为重要。为到达最佳的出光光强，反射腔体的反射视点应该为55°为最佳反射角，或腔体夹角为70°，反射角过大或过小都会导致发光强度下降。
别的依据光学上的出光原理，为有效地削减全反射现象，咱们选取胶水的准则一般是由里到外，胶水折射率从高到低（外层胶水的折射率能够小于或等于内层胶水折射率，但绝不能高于内层胶水的折射率）。
