手机/电脑的内存和存储
现如今跟着手机的不断推行和遍及，已掩盖电脑年代的光辉，许多新生代的用户都问到手机的存储就陷入了茫然，所以咱们经常会遇到“Q：你的手机内存多大？A：128GB”这样的笑话，实践上咱们也信任发问者便是想知道手机存储容量的巨细，而答复者也现已依照约定俗成的方法答复了问题。
于核算机组成原理来剖析：手机和电脑并没有实质的差异，主体结构仍然为输入设备、存储器、运算器、操控器和输出设备，至于外围的存储设备实践仅仅一个辅佐，所以称之为辅佐存储器，仅仅因为人们关于成果的更多需求，所以它又成为人们好像“看得着、摸得见”的最重要组成部分–存储。
核算机的组成原理里边这样介绍核算机的存储器：存储器是用来存储程序和数据的部件，关于核算机来说，有了存储器，才有回忆功用，才干保证正常作业。存储器的品种许多，按其用处可分为主存储器和辅佐存储器，主存储器又称内存储器，而比如硬盘、SSD等都为辅佐存储器。
套用网络上这样一个关于内存和存储的界说，咱们或许再也不会弄混杂了：你口里吃花生就CPU在处理数据，硬盘容量巨细便是你的口袋巨细（能放多少花生），内存巨细便是你的手的巨细（一次能抓多少出来）。
现如今，无论是手机仍是电脑内存都运用了DRAM存储技能。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的体系内存。DRAM只能将数据坚持很短的时刻。为了坚持数据，DRAM运用%&&&&&%存储，所以有必要隔一段时刻改写（refresh）一次，假设存储单元没有被改写，存储的信息就会丢掉。
至于存储方面，现如今首要包括两大类技能：HDD（Hard Disc Drive）和NAND Flash，关于HDD在这里就不做过多介绍。NAND Flash全名为Flash Memory，归于非易失性存储设备（Non-volatile Memory Device），Flash的内部存储是MOSFET，里边有个悬浮门（Floating Gate），是真实存储数据的单元。数据在Flash内存单元中是以电荷（electrical charge） 方法存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部分（external gate）所被施加的电压，其操控了是向存储单元中冲入电荷仍是使其开释电荷。而数据的表明，以所存储的电荷的电压是否超越一个特定的阈值Vth来表明。
关于数据的表明，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth，比较，假设大于此Vth值，便是表明1，反之，小于Vth，就表明0；关于nand Flash的数据的写入1，便是操控External Gate去充电，使得存储的电荷够多，超越阈值Vth，就表明1了。而关于写入0，便是将其放电，电荷削减到小于Vth，就表明0了。
DRAM和NAND的单位
从上面的存储原理能够看出，DRAM和NAND的存储单位实践为b，那么为什么存储产品的容量一般都用B来标示呢？而存储产品的颗粒容量又以b来标示呢？
以DRAM内存颗粒为例，其存储安排结构为深度（Depth）加上位宽（Width），下面咱们以美光官方的一份内存颗粒文档为咱们解析，例如编号为MT40A1G16HBA-083E的内存颗粒，其深度（Depth）和位宽（Width）分别为1Gb和16，容量明显为16Gb，关于内存颗粒的容量咱们这样解说下咱们或许会更好了解一些。
咱们把MT40A1G16HBA-083E比作一个国家，这个国家有16个城市，每个城市有1024x1024x1024（1G=1024M，1M=1024K，1K=1024）个家庭，那么这个国家一共就会有16x1024x1024x1024个家庭，又假设每个城市都设置一个城门，每次只能放行一个家庭，那么这个国家每次都多只能放行16个家庭。
而现在无论是桌面PC仍是手机根本现已进入了64bit年代，处理器每次吞吐数据的单位为64，也便是说处理器一次需求抽调64个家庭，那么怎样办呢？所以咱们就将多个国家联合起来，关于一个具有16个城市的国家而言，那么只需求4个国家就能够满意处理器的需求。不过假设关于一些小国只要4个或许8个城市的，那么一次就需求16个国家联合起来或许8个国家联合起来才干够满意需求。
现在再来说说为什么DRAM或许NAND存储颗粒不适用B而是用b来标示呢？实践上略微了解核算机原理的用户应该知道，现存的核算机体系结构B（Byte）表明一个字节，而b（bit）表明1个位。关于单纯1个bit的0或许1来说核算机的辨认便是“是”或许“非”，无数个0或许1安排起来核算机并不会知道这代表着什么？而数据应该怎样和核算机的0或许1对应起来呢？所以就有了ACSII编码，每一个字母或许符号都对应一个ACSII编码，这样实际国际的言语就和核算机就彻底对接上了。
ACSII编码规则每一个符号占用的巨细为8bit，简称一个字节（Byte），于存储而言1个字节才算根本的单位，所以文件的存储就以Byte为最小单位。不过无论是DRAM仍是NAND因为对接的核算机乃至对错核算机设备，其产品的存储单位特点并不一定是Byte，所以仍然为bit标示。
别的在数据流，例如网络带宽、USB带宽、PCI-E带宽，咱们又会发现以b为单位，这是因为关于数据传输而言，都是以通道流方法，就像上面的比如相同一次只能放行一个家庭。而在数据传输过程中为了保证数据的安全还会参加一些校验数据在其间例如USB 3.0就采用了8b/10b的编码方法（每传输8bit数据就需求参加2bit校验数据），这个时分假设再运用Byte作为单位明显乱了规矩，不达时宜。
SLC、MLC、TLC NAND的差异
关于根据NAND存储技能的设备而言，无论是U盘仍是SSD，乃至是SD卡，都会涉及到一个问题本钱，所以产品设计从SLC转变到MLC，再到TLC，乃至QLC也将在后续面世，那么SLC、MLC、TLC终究对用户有什么影响呢？
SLC–SLC英文全称（Single Level Cell——SLC）即单层式贮存
SLC技能特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时经过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所贮存的电荷消除，经过这样的方法，便可贮存1个信息单元，这种技能能供给快速的程序编程与读取，不过此技能受限于Silicon efficiency的问题，有必要要由较先进的流程强化技能（Process enhancements），才干向上提高SLC制程技能。
MLC–MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC）即多层式贮存
英特尔（Intel）在1997年9月最早开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中寄存电荷的部分），然后运用不同电位（Level）的电荷，经过内存贮存的电压操控精准读写。MLC经过运用很多的电压等级，每 个单元贮存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构能够一次贮存4个以上的值，因而，MLC架构能够有比较好的贮存密度。
TLC–TLC英文全称（Trinary-Level Cell）即三层式贮存
TLC即3bit per cell，每个单元能够寄存比MLC多1/2的数据，共八个充电值，所需拜访时刻更长，因而传输速度更慢。TLC优势价格便宜，每百万字节生产本钱是最低的，可是寿数短，只要约1000次擦写寿数。
正如上面的介绍，从SLC到MLC再到TLC，cell关于电压的准确操控更高，这直接导致TLC的寿数下降到只要1000次PE，而对应的SLC和MLC分别为10000+和3000，相对来说TLC的耐久度明显下降。TLC的别的一个下风便是数据的读写功率，在SLC年代，1个cell一次只需求读取/写入1个bit，到MLC年代每次需求读取/写入2bit，而到TLC年代则上升到3bit，很明显其功能遭到电压操控的程序复杂度会变慢，当然因为工艺和主控的不断晋级，现在TLC现已能够追平MLC产品。不过TLC耐久的硬伤短时刻内并无法得到有用处理，当然TLC的耐久能够经过存储设备的容量加大而均衡磨损，变相演唱了产品的运用寿数。
