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美光科技推出第三代低延时内存

美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技术,能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和

美光科技(Micron Technology, Inc)今日推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技能,能更有用的传输网络信息。视频内容、移动使用和云核算的蓬勃发展,对网络基础设施提出了更高效的要求,以便在线传输很多数据。与前几代产品比较,美光新的RLDRAM 3内存进一步进步了存储密度和速度,一起最大极限地减少了推迟,下降了功耗,在网络使用中功能更好。

美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说:“跟着互联网内容消费的不断增加,人们日益需求有一种能支撑网络流量增加的技能,美光的RLDRAM 3内存满意了这种需求”。

关于现有的RLDRAM 2,美光将持续供给最高水平的技能支撑,并方案长时间出产该产品。此外,美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺,进步体系功能,下降功耗。

RLDRAM 3内存产品特色

美光新的RLDRAM 3内存的主要特色及长处有:

低延时:tRC缺乏10纳秒,是业界最低的随机存取延时

高密度:576Mb-1Gb,灵活性高,可用于多种规划

高速率:达2133Mb/s,数据存取速度更快

高能效:1.2V IO和1.35V内核电压,更省电

构建RLDRAM 协作伙伴网络

美光维持着巨大的协作伙伴网络,使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其协作伙伴展开了广泛协作,为客户供给量身定制的解决方案,优化网络体系功能。作为这个价值生态体系的一部分,美光现在协作的抢先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

Altera组件产品营销资深总监Luanne Schirrmeister说:“Altera的28nm Stratix V FPGA包含新的硬化数据通路,针对美光内存设有高功能、低推迟接口。RLDRAM 3内存的发布让咱们的内存带宽可高达1600 Mbps,为行业界最高速度,大幅下降了延时。美光新的存储产品调配Altera新的内存接口架构是一项重要技能成果,是咱们与美光多年技能协作的一项巅峰之作。”

Xilinx使用和技能营销资深总监Rina Raman说:“Xilinx 7系列FPGA使用于第一流的网络设备,用于满意全世界对带宽无止尽的需求。咱们与美光协作,支撑其新的RLDRAM 3技能,让咱们的客户可以开发网络渠道,来满意最严厉的基础设施需求。”

产品可用性

美光估计将在2011年上半年开端对其RLDRAM 3进行抽样,现在正与客户协作,征求其对RLDRAM 3内存规划的定见。此外,美光估计将在2010年第四季度开端对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。

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