韩国三星公司刚刚宣告旗下的最新一代选用3D笔直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器现已开端进行量产。最新的3D笔直闪存与传统的NAND存储芯片比较，具有包含读写速度快1倍、运用寿命多10倍及能耗削减50%等很多优势。尽管现在3D芯片所能供给的存储密度仍与传统的2D芯片结构相同，可是当在2D结构开展阻滞时，彻底可以依托3D结构就能供给更多数量级的额定存储密度。
闪存技能可以说是21世纪以来最巨大的奇观故事之一。尽管早在1980年就现已面世，可是在十多年之后才被正式投放到商场中，其时的闪存存储密度只要 20MB。现在经过了20多年的开展，闪存技能现已屡次提高乃至逾越了摩尔定律的约束，容量现已达到了最初时的3万多倍。
最新的NAND闪存选用了10纳米的的光刻工艺，而且开端遇到一些物理上的费事。一个NAND闪存，便是一个浮栅晶体管(floating-gate transistor)，而一个绝缘栅层可以存储电荷很长的时刻。而存储器的读取，则是经过门控脉冲丈量设备通道的导通性来完成的。假如没有存储电荷，存储单元就会给出一个呼应;而假如存储了电荷，它就不会给出呼应，然后答应非损坏性地数据读取。但在制作较小尺度的NAND闪存方面，至少面临着两种困难。首要，每个门只持有少数的电子，因此会导致其状况很难被区别。其次，操控电极是如此之小(严密)，以至于散布其上的存储单元会受到影响，终究导致不可靠的数据读写。
而3D V-NAND闪存的几何学便是，经过在笔直方向寻求空间，来补偿这个问题。第一个改变便是捕获电荷圈套的闪存几何学，由AMD公司在2002年创始。在一个闪存单元的电荷圈套内，存储的电荷并不在浮栅上，而是处于一个嵌入式的氮化硅薄膜上。这种薄膜具有更强的抗点缺陷才能。它也可以被做得很厚，存储更多的电子，然后对少数的电子丢失不那么灵敏。
第二个改变，便是把一个平面的电荷圈套单元，做成圆柱形(如上图所示)。增加的一大排V-NAND单元(本例中为1 vertical stack / 8cell)开端构成一个交变仓库，导电(掺杂)了多晶硅曾(赤色区域)和中空的二氧化硅层(蓝色区域)。
下一步则是腐蚀或构成一个经过这些曾的圆柱形孔。在实践中，一个128Gbit的24层V-NAND芯片，其存储单元的构成需求29亿个这样的孔。然后堆积出一个二氧化硅的保形层，罩住这些孔的内外表;随之是一个相似的氮化硅层，以及第二个二氧化硅层。氮化硅是电荷抓获层，二氧化硅层则是门和地道介质。最终，孔的中心会被填满导电的掺杂多晶硅，以构成存储cell的通道。
三星公司现在现已开端为企业级用户供给V-NAND固态硬盘的少部分产品，两种容量分别为480GB及960GB，在写入速度上现已比该公司前期的 SM843T型980GB固态硬盘提高了20%，而另一方面在功耗上则削减了40%。更重要的是，最新的3D笔直式存储驱动的运用耐久度现已达到了 SM843T的10倍有余，而可以满意上一代SSD固态硬盘所无法应对的新类型使用，彻底完成之前历来不可能完成的方针。不过现在仍然还没有任何全新3D 笔直面向群众消费商场的上市时刻及价格音讯。
