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产品概况
ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器材，内置四个选用 iCMOS® 工艺规划的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制作工艺，集高电压CMOS与双极性技能于一体。使用这种工艺,能够开发作业电压达33 V的各种高功能模仿IC，并完成以往的高压器材所无法完成的尺度。与选用传统CMOS工艺的模仿IC不同， iCMOS器材不光能够接受高电源电压，一起还能提高功能、大幅下降功耗并减小封装尺度。
导通电阻曲线在整个模仿输入规模都十分平整，可保证切换信号时具有超卓的线性度和低失真功能。
iCMOS结构可保证功耗极低，因此这些器材十分合适便携式电池供电外表。
ADG1411/ADG1412/ADG1413均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1411与ADG1412的仅有不同是数字操控逻辑相反。
ADG1411开关的接通条件是相关操控输入为逻辑0，而ADG1412开关接通则为逻辑1。ADG1413有两个开关的数字操控逻辑与ADG1411类似，但其它两个开关的操控逻辑则相反。当接通时，各开关在两个方向的导电功能相同，输入信号规模可扩展至电源电压规模。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻挠。
ADG1413为先开后合式开关，合适多路复用器使用。规划自身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可完成最小的瞬变。
产品聚集
使用
优势和特色
- 导通电阻：1.5 Ω
- 导通电阻平整度：0.3 Ω
- 通道间导通电阻匹配：0.1Ω（最大值）
- 每个通道的接连电流
LFCSP封装：250 mA
TSSOP封装：190 mA - 额外电源电压：+12 V、±15 V和±5 V
ADG1411电路图
ADG1411中文PDF下载地址
ADG1411下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1411_1412_1413.pdf
