肖特基二极管的结构
新式高压SBD的结构和资料与传统SBD是有差异的。传统SBD是经过金属与半导体触摸而构成。金属资料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体一般为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。因为电子比空穴迁移率大，为取得杰出的频率特性，故选用N型半导体资料作为基片。为了减小SBD的结电容，进步反向击穿电压，一起又不使串联电阻过大，一般是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包含半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。 我们知道，金属导体内部有很多的导电电子。当金属与半导体触摸（二者间隔只要原子巨细的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因而，在二者触摸后，电子会从半导体向金属分散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。因为金属是抱负的导体，负电荷只散布在外表为原子巨细的一个薄层之内。而关于N型半导体来说，失掉电子的施主杂质原子成为正离子，则散布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属分散运动的成果，构成空间电荷区、自建电场和势垒，而且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区悉数落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场添加，与分散电流方向相反的漂移电流增大，终究到达动态平衡，在金属与半导体之间构成一个触摸势垒，这便是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的分散电流与反向的漂移电流持平，到达动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒下降，所以构成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度添加，构成由半导体到金属的较小反向电流。因而，SBD与PN结二极管相同，是一种具有单导游电性的非线性器材。
肖特基二极管的封装
肖特基二极管分为有引线和外表装置（贴片式）两种封装办法。 选用有引线式封装的肖特基二极管一般作为高频大电流整流二极管、续流二极管或维护二极管运用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装办法。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出办法。
选用外表封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装办法，有A~19种管脚引出办法。
肖特基二极管的检测办法
下面经过一个实例来介绍检测肖特基二极管的办法。检测内容包含：①辨认电极；②查看管子的单导游电性；③测正导游压降VF；④丈量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚依照正面（字面朝向人）从左至右次序编上序号①、②、③。挑选500型万用表的R×1档进行丈量，悉数数据整理成下表：
肖特基二极管测验定论：
榜首，依据①—②、③—④间均可测出正向电阻，断定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单导游电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正导游通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大答应值VFM（0.55V）。
别的运用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向作业电压（即反向峰值电压）VBR=40V。标明留有较高的安全系数.
