场效应管
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管运用优势
场效应管是电压操控元件，而晶体管是电流操控元件。在只答应从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又答应从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是运用大都载流子导电，所以称之为单极型器材，而晶体管是既有大都载流子，也运用少量载流子导电，被称之为双极型器材。
有些场效应管的源极和漏极能够交换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下作业，而且它的制作工艺能够很方便地把许多场效应管集成在一块硅片上，因而场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的运用。
运用场效应管的注意事项
（1）为了安全运用场效应管，在线路的规划中不能逾越管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在运用时，都要严峻按央求的偏置接人电路中，要恪守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管因为输人阻抗极高，所以在运送、储藏中必需将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以避免外来感应电势将栅极击穿。特别要留心，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保管时最好放在金属盒内，一起也要留心管的防潮。
（4）为了避免场效应管栅极感应击穿，央求悉数测验仪器、作业台、电烙铁、线路自身都必需有杰出的接地;管脚在焊接时，先焊源极;在连入电路之前，管的悉数引线端坚持相互短接状况，焊接完后才把短接资料去掉;从元器材架上取下管时，应以恰当的方法保证人体接地如选用接地环等;当然，假设能选用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较便利的，而且保证安全;在未关断电源时，肯定不能够把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在运用场效应管时必需留心。
（5）在装置场效应管时，留心装置的方位要尽量避免接近发热元件;为了防管件振荡，有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在曲折时，应当大于根部尺度5毫米处间断，以避免弯断管脚和惹起漏气等。关于功率型场效应管，要有杰出的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必需规划满足的散热器，保证壳体温度不逾越额定值，使器材长时间安稳可靠地作业。
