发光二极管的作业原理

发光二极管是选用磷化嫁(Ga P) 或磷呻化嫁( GaAsP) 等半导体资料制成的，其内部结构为-PN 结，具有单向导电性。当在发光二极管的PN 结上加正电压时， PN 结势垒下降，载流子的分散运动大于漂移运动，致使P 区的空穴注入到N 区， N 区的电子注入到P 区。彼此注入的电子和空穴相遇后就会发生复合.复合时宣布的能量大部以光的方式呈现。因为运用的半导体资料不同，发光二极管会宣布不同色彩的光。