三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都能够作为电子开关管运用，并且许多场合两者都是能够交换运用的。三极管和MOS管作为开关管时，有许多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该怎么挑选呢？
三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管操控原理。
▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理
（1）操控方法不同，三极管是电流型操控元器件，而MOS管是电压操控元器件，三极管导通所需的操控端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就能够完成三极管导通，只需改动基极限流电阻即可改动基极电流。而MOS管为电压操控，导通所需电压一般4V~10V左右，且到达饱满时所需电压一般6V~10V左右。在操控电压较低的场合一般运用三极管作为开关管，也能够先运用三极管作为缓冲操控MOS管，比方单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只要3.3V或2.5V，一般不会直接操控MOS管，电压较低MOS管无法导通或内阻很大内讧大而达不到实际效果，这种情况下一般运用三极管操控。
（2）输入阻抗不同，三极管的输入阻抗小，MOS管的输入阻抗大；结电容不一样，三极管的结电容要比MOS管大，动作相应上MOS管要比三极管快一些；稳定性方面MOS管更优，三极管的少子参加导电，比较简单遭到温度的影响，噪声较高，而MOS管是多子导电，噪声小，热稳定性好。
（3）MOS管内阻很小，大一点的几十mΩ，小的只要几mΩ，比方4mΩ、2mΩ等，而三极管的导通压降简直不变，一般为0.3V~0.6V左右，所以一般在小电流场合比较喜爱运用MOS管，内阻小压下降，可是大电流场合一般运用三极管，比方几百A，或上千A乃至几千A的电流时，运用三极管其导通压降只要0.3V~0.6V左右，而运用MOS管即便内阻很小，可是电流很大，压降依然很大，比方内阻2mΩ，电流1000A，那么压降高达2V，功耗很大，高达2000W，运用三极管功耗只要300W~600W左右，电流越大其差异越显着，所以在轿车、高铁等几千安培的大电流场合，都是选用三极管作为开关管的。
