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TI推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器

德州仪器(TI)近日推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101随时间和温

德州仪器(TI)近来推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101随时刻和温度改变具有超低漂移和超高精度,一起供应牢靠的3-kVrms阻隔。这关于比如工业电机驱动、太阳能逆变器、储能设备和电源供应等沟通或直流高电压体系尤为重要。

工业体系对更高功能的继续需求推进着对更准确的电流丈量的需求,除了牢靠的操作之外,这一般伴随着添加的电路板空间或规划复杂性的本钱。TI已将其在阻隔和高精度模仿方面多年堆集的技术储备应用于TMCS1100和TMCS1101,使工程师可规划出可以在更长的设备使用寿数期间供应共同功能和确诊的体系,然后无需添加规划时刻即可坚持解决方案尺度的紧凑性。

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随时刻和温度改变,以最低漂移改进体系功能

即便在温度改变和器材老化等操作条件下,TMCS1100和TMCS1101的零漂移架构和实时灵敏度补偿也可完成极高的功能。该器材具有抢先的随温度改变的总灵敏度漂移,最大值为0.45%,这比其他磁电流传感器低至少200%,它的最大满量程偏移漂移小于 0.1% ,可在各种电流规模内供应更高的丈量精度和牢靠性。此外,整个使用寿数规模内,0.5%的灵敏度漂移(至少比其他磁电流传感器低100%),明显削减了因为时刻消逝形成的体系老化相关的功能下降。

高精度,可削减设备保护

此外,TMCS1100(最大值为1%)和TMCS1101(最大值为1.5%)的高精度无需对设备进行校准,削减了设备随时刻推移而需求的保护。该器材还具有0.05%的典型线性度,很大程度上减小了信号失真,有助于在扩展的工业温度规模(-40°C 至 125  °C)内坚持精度。

选用8引脚 SOIC封装的3kVrms阻隔,可延伸体系寿数

依据美国保险商实验室(UL)1577规范,TMCS1100和TMCS1101的高质量结构供应了固有的电气阻隔才能,可在3kVrms条件下完成60秒的阻隔,在电网衔接或电力体系中苛刻的环境条件下也可适用。整个使用寿数期间,两种器材均支撑±600V的作业电压,比同一8引脚SOIC封装中的商场器材高40%,且均经过严厉测验,超出行业规范UL和VDE要求,可供应更大的规划裕量和延伸的器材使用寿数。

经过添加灵活性,满意各类规划需求并下降体系本钱

TMCS1100需求用于差分丈量的外部基准电压源,使工程师可以优化规划,满意严厉的功能方针。但TMCS1101集成了电压基准,以引脚对引脚的行业规范完成方法供应了高功能,然后简化了规划,下降了总本钱。

封装、供货状况

以8引脚小型集成电路(SOIC)封装的 TMCS1100 和 TMCS1101 现可从TI和授权分销商处购买。

有关TMCS1100和TMCS1101的更多信息,请下载白皮书“ 高精度霍尔电流传感器助力功率体系的功能和功率提高 。 

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