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IDC 谏早电子开发的模集成IC「RT8H054K」 漏电保护电路最佳IC

半导体制造商的谏早电子开发了用于检测漏电的模拟IC「RT8H054K」。 可作为漏电断路器和漏电保护接头使用。 本产品采用1波2次计数方式,動作时间可通过外部电容设定。 此外,即使…

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半导体制造商的谏早电子开发了用于检测漏电的模拟IC「RT8H054K」。

可作为漏电断路器和漏电保护接头使用。

本产品采用1波2次计数方式,動作时间可通过外部电容设定。

此外,即使检测到一次漏电,也能保留异常输出的锁存输出格式。

内部电路图、应用电路图

wKhk3WVLNV6AI75lAAGoUz7LogA228

时序图

wKhk3mVLNV6APOYBAACk3fFo_-Q278

当VR端子电压高于IN端子电压时定义为负电压,当低于IN端子电压时定义为正电压。

①  IN-VR波形是连接在IN端子和VR端子之间的电阻处产生的电压波形。

当IN和VR之间的输入电压低于VT标准值≈-9.2mV时,连接到TRC1引脚的电容开始充电,当TRC1引脚的电位达到Vth1≈2.4V时,判定检测到一次。TRC1引脚电位达到VTH1的时间定义为TW1,该时间由TRC1引脚的充电电流 IRC1SO、阈值电压VTH1和连接电容C1决定。

计算公式:TW1=-C1×VTH1/IRC1SO

②  当IN和VR之间的输入电压高于VT标

准值≈-9.2mV时,连接到TRC2引脚的电容开始充电,当TRC2引脚的电位达到Vth2≈2.4V时,判定检测到一次。TRC2引脚电位达到VTH2的时间定义为TW2,该时间由TRC2引脚的充电电流IRC2SO、阈值电压VTH2和连接电容C2决定。

计算公式:TW2=-C2×VTH2/IRC2SO

③  检测到第一次射击后,连接到NR引脚的电容器开始充电。

④  在检测到第一次发射后,如果在达到 VNR=1.45V 之前检测到第二次发射,则假定已检测到漏电并且 OS 引脚变为高电平。由于输出为锁存输出型,一旦检测到漏电流,将继续维持高输出。

再次打开电源即可解除锁存。

※通过将TRC2引脚连接到GND,可以将模式更改为仅检测正电压输入。

※通过将TRC1引脚连接到GND,可以将模式更改为仅检测负电压输入。

电气特性

记号 项目 条件 规格値 单位
Min Typ Max
IS 电源电流(待机时) VR-INショート 450 585 uA
VT 跳闸电压 CTRC=0.047uF 6.4 9.2 12.0 mV
-12.0 -9.2 -6.4 mV
VOSH OS HIGH电压 IOS=250uA 3 V
VOSL OS LOW电压 IOS=-100uA 200 mV
IOS OSソース电流 VOS=0.8V 250 uA
IIN IN输入偏置电流 VR-IN間に1MΩ 0.1 uA
VVR VR电压 2.1 2.4 2.7 V
INRSO NR源电流 4.9 7.0 9.1 uA
VTHNR NR阈值电压 1.10 1.45 1.80 V
TW3 TW3脉冲宽度 CNR=0.33uF 40 70 121 ms
IRC1SO TRC1源电流  VIN=-30mV 43.4 62.0 80.6 uA
VTH1 TRC1阈值电压 2.1 2.4 2.7 V
TW1 TW1脉冲宽度 CTRC=0.047uF 1.22 1.80 2.92 ms
IRC2SO TRC2源电流 VIN=+30mV 43.4 62.0 80.6 uA
VTH2 TRC2阈值电压 2.1 2.4 2.7 V
TW2 TW2脉冲宽度 CTRC=0.047uF 1.22 1.80 2.92 ms
VSM 最大电流电压 IS=7mA 25.5 27.0 28.5 V

外形尺寸

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