大容量NAND Flash在多媒体手机中的使用

1导言

跟着手机商场竞争的日趋激烈，多媒体手机逐步成为商场的宠儿。由于有许多的多媒体数据，因而大容量存储是多媒体手机所要处理的首要问题。

NOR和NAND是现在商场上两种首要的非易失闪存技能。NOR的特点是芯片内履行（XIP，eXecuteInPlace），这样使用程序能够直接在flash闪存内运转，不用再把代码读到体系RAM中。NOR的传输功率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的本钱效益，可是很低的写入和擦除速度大大影响了它的功用。NAND结构能供给极高的单元密度，能够到达高存储密度，而且写入和擦除的速度也很快，是大数据量存储的最佳挑选。在挑选存储计划的时分，设计师有必要归纳考虑以下要素：

（1）NOR的读速度比NAND稍快一些。

（2）NAND的写入速度比NOR快许多（3）NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

（4）大多数写入操作需求先进行擦除操作。

（5）NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

（6）NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。

此外，NAND的运用比NOR的运用杂乱的多。在NOR器材上运转代码不需求任何的软件支撑，在NAND器材进步行相同操作时，一般需求驱动程序，也便是内存技能驱动程序（MTD），NAND和NOR器材在进行写入和擦除操作时都需求MTD.

运用NOR器材时所需求的MTD要相对少一些，许多厂商都供给用于NOR器材的更高档软件，这其间包含M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所选用。

2 TC58DDM82A1XBJ5在多媒体手机中的使用

在多媒体手机中，TC58DDM82A1XBJ5首要用来存储图片、声音文件等数据量较大的文件。

TC58DDM82A1XBJ5是Toshiba公司出产的256MbitsNANDEEPROM.作业电压为2.7V~3.6V或许1.65V~1.95V.

存储结构为528bytes×32pages×2048blocks.Page的巨细为528Bytes，Block的巨细为（16K+512）Bytes.

2.1引脚摆放和功用

NANDFlash选用高度复用的拜访接口，该接口既作地址总线，又作数据总线和指令输入接口。NANDFlash的的接口引脚首要分三类：数据引脚，操控引脚，状况引脚。TC58DDM82A1XBJ5的数据引脚为8位，即I/O1~I/O8，用来输入/输出地址，数据和指令。有一个状况引脚（RY/BY）用来标明芯片的状况，当芯片进行数据写入、擦除、随机读取的时分，其输出电平为高，标明芯片正忙，不然输出低电平。/WP引脚用来制止获答应对芯片进行写入操作。当其为低电平时制止写操作，反之答应写操作。操控引脚有6个，见引脚界说。

2.2 TC58DDM82A1与AD6528的衔接

AD6528是AnalogDevicesInc.出产的Hermes系列GSM/GPRS处理器。AD6528选用DSP+MCU的双核结构，其间MCU选用的是ARM7，DSP部分选用了ADI自己的ADSP-218xDSP核。

2.3 TC58DDM82A1的操作方法

TC58DDM82A1的地址输入、指令输入、数据输入\\输出都是经过CLE、ALE、CE、WE、RE、RST、PRE1/PRE2引脚操控。操控逻辑如表1所示：

表1逻辑表



*1：/WP=0，则制止TC58DDM82A1的Program和Erase操作TC58DDM82A1的各种作业形式，如读、复位、编程等，都是经过指令字来进行操控的。

2.4 TC58DDM82A1的时序剖析及驱动程序

可知，第一个周期，CLE信号有用时经过IO口向指令寄存器发送指令00H.此刻NANDFlash处于写状况，因而WE有用，RE无效。发送指令后，接着发送要读的地址，该操作将占用WE的3个周期。留意，此刻发送的是地址信息，因而CLE为低，而ALE为高电平。当信息发送结束后，不能马上读取数据，由于芯片此刻处于BUSY（忙）状况，需求等候2~20ms.之后，才干开端真实的数据读取。此刻WE为高电平而处于无效状况，一起CE片选信号也一直为低以标明选中该芯片。