25M64kflash4352：40969(片外)+256（片内）RAM
每个端口引脚的输出方法都可被装备为漏极开路或推挽方法，缺省状况为漏极开路。(缺省Pn＝0xff)
在推挽方法，向端口数据寄存器中的相应位写逻辑‘0’将使端口引脚被驱动到GND，写逻辑‘1将使端口引脚被驱动到VDD。
在漏极开路方法，向端口数据寄存器中的相应位写逻辑‘0’将使端口引脚被驱动到GND，写逻辑‘1’将使端口引脚处于高阻状况（注：有必要制止弱上拉,内部有弱上拉）。
经过设置输出方法为“漏极开路”并向端口数据寄存器中的相应位写‘1置为数字输入。例如，设置P3MDOUT.7为逻辑‘0’并设置P3.7为逻辑‘1‘即可将P3.7装备为数字输入
FLASH存储器除了用于存储程序代码之外还能够用于非易失性数据存储。这就答应在程序运行时核算和存储相似标定系数这样的数据。数据写入用MOVX指令，读出用MOVC指令。
MCU的FLASH存储器中有一个附加的128字节的扇区，可用于非易失性数据存储。可是它较小的扇区容量使其特别适于作为通用的非易失性暂时存储器。虽然FLASH存储器能够每次写一个字节，但有必要首要擦除整个扇区。若要修正一个多字节数据会集的某一个字节，数据集有必要被移动到暂时存储区域。128字节的扇区规划使数据更新愈加简单，能够不糟蹋程序存储器或RAM空间。
该128字节的扇区在64K字节FLASH存储器中是双映射的；它的地址规模是从0x1000到0x1007F。该128B扇区是双映射的，其逻辑地址为0x00-0x7F(该128字节无法经过JTAG读出或写入，但擦写整片CPU时，会将该区域的数据擦除），为了拜访该扇区，PSCTL寄存器中的SFLE位有必要被设置为逻辑‘1’。该扇区不能用于存储程序代码。
指令是以体系时钟周期为单位，而不像51单片机以机器周期（12×体系时钟周期）为单位，速度大大提高
C8051F020低端口(P0. P1. P2和P3)既能够按位寻址也能够按字节寻址。高端口(P4. P5. P6和P7)只能按字节寻址。
关于附加128字节的flash扇区，每次擦除128个字节
关于其他flash扇区，每次擦除512个字节
ADC0的转化速率最大是100ksps,其转化速率由SAR clock决议，而采样速率由用户自己决议（可经过定时器设置_），但要小于转化速率。
C8051FXX单片机的加密方法，是经过修正FLASH存储器的0xfdfe和0xfdff这两个字节来完成的。其间0xfdfe是写维护字节。0xfdff是读维护字节。每个字节的8个位别离对应8K的FLASH存储空间，假如该存储空间的对应位被铲除，则该空间也被加密。
STARTUP.A51 这个文件有什么用，有必要增加到工程吗？
假如不增加”startup.a51″文件，编译器就会主动参加一段初始化内存以及仓库等的代码，这时的内存初始化部分你就无法去操控了，当然这在大部分情况下没什么联系。可是假如你想你的程序在复位后，内存里边的信息仍然还保存着（所说的“热复位”），那么你就需求增加该发动文件，而且去里边修正内存初始化部分，不要初始化你需求保存的部分内存。
