什么是巨磁电阻
巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，缩写：GMR）是一种量子力学和凝集体物理学现象，磁阻效应的一种，能够在磁性资料和非磁性资料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被颁发发现巨磁阻效应（GMR）的彼得·格林贝格和艾尔伯·费尔。巨磁电阻便是电阻值对磁场改动巨灵敏的一种电阻资料。
巨磁电阻现象
物质在必定磁场下电阻改动的现象，称为“磁阻效应”，磁性金属和合金资料一般都有这种磁电阻现象，一般情况下，物质的电阻率在磁场中仅发生细微的减小；在某种条件下，电阻率减小的起伏相当大，比一般磁性金属与合金资料的磁电阻值约高10余倍，称为“巨磁阻效应”（GMR）；而在很强的磁场中某些绝缘领会忽然变为导体，称为“超巨磁阻效应”（CMR）。
如右图所示，左边和右面的资料结构相同，两边是磁性资料薄膜层（蓝色），中心对错磁性资料薄膜层（橘色）。
左边的结构中，两层磁性资料的磁化方向相同。
当一束自旋方向与磁性资料磁化方向都相同的电子经过期，电子较简单经过两层磁性资料，都出现小电阻。
当一束自旋方向与磁性资料磁化方向都相反的电子经过期，电子较难经过两层磁性资料，都出现大电阻。这是由于电子的自旋方向与资料的磁化方向相反，发生散射，经过的电子数削减，然后使得电流减小。
右面的结构中，两层磁性资料的磁化方向相反。
当一束自旋方向与第一层磁性资料磁化方向相同的电子经过期，电子较简单经过，出现小电阻；但较难经过第二层磁化方向与电子自旋方向相反的磁性资料，出现大电阻。
当一束自旋方向与第一层磁性资料磁化方向相反的电子经过期，电子较难经过，出现大电阻；但较简单经过第二层磁化方向与电子自旋方向相同的磁性资料，出现小电阻。
巨磁电阻结构组成特色
1、巨磁电阻效应来自于载流电子的不同自旋状况与磁场的效果不同，因此导致电阻值的改动。
2、如图所示，多层GMR 结构中，无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁矩是反平行耦合的。在满足强的外磁场效果下，铁磁膜的磁矩方向都与外磁场方向共同，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。
巨磁电阻的使用
巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的使用。跟着技能的开展，当存储数据的磁区越来越小，存储数据密度越来越大，这对读写磁头提出更高的要求。巨磁阻物质中电流的增大与减小，能够界说为逻辑信号的0与1，然后完成对磁性存储设备的读取。巨磁阻物质能够将用磁性办法存储的数据，以不同巨细的电流输出，而且即便磁场很小，也能输出满足的电流改动，以便辨认数据，然后大起伏提高了数据存储的密度。
巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上。1994年，IBM公司研制成功了巨磁电阻效应的读出磁头，将磁盘记载密度提高了17倍，然后使得磁盘在与光盘的竞赛中从头回到领先地位。现在，巨磁阻技能已经成为简直一切计算机、数码相机和MP3播放器等的规范技能。
使用巨磁电阻物质在不同的磁化状况下具有不同电阻值的特色，还能够制成磁性随机存储器（MRAM），其长处是在不通电的情况下能够持续保存存储的数据。
除此之外，巨磁阻效应还使用于弱小磁场探测器。
