什么是场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIon FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管（FET）是使用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。
因为它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管干什么用的
作业原理：场效应管作业原理用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压操控ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的改变，发生耗尽层扩展改变操控的原因。在VGS=0的非饱满区域，表明的过渡层的扩展因为不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成阻塞型，ID饱满。将这种状况称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挠，并不是电流被堵截。
在过渡层因为没有电子、空穴的自在移动，在抱负状况下简直具有绝缘特性，一般电流也难活动。可是此刻漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层触摸漏极与门极下部邻近，因为漂移电场拉去的高速电子经过过渡层。因漂移电场的强度简直不变发生ID的饱满现象。其次，VGS向负的方向改变，让VGS=VGS（off），此刻过渡层大致成为掩盖全区域的状况。并且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只要接近源极的很短部分，这更使电流不能流转。
效果：
1.场效应管可应用于扩大。
2.场效应管很高的输入阻抗十分适协作阻抗改换。
3.场效应管能够用作可变电阻。
4.场效应管能够方便地用作恒流源。
5.场效应管能够用作电子开关。
