关于晶体振荡器，一般运用其简称-晶振，这是一种机电的详细器材，是运用电损耗比较小的石英晶体通过细心的切开和磨削，而且还要镀电极焊上的引线才能够做成。
晶体振荡器其实便是归于时钟电路中的一个比较重要的部件，它的详细效果便是供给基准频率向显卡、网卡和主板等一些相关的配件的不同部分，它其实就像一把标尺，假如它的作业频率是不安稳的，那就会形成一些相关设备的作业频率也变得有些不安稳，自然而然这样就简略呈现一些问题。现在由于铸造技能的进步，现在晶体振荡器的频率误差、温度的安稳性和老化率等技能的目标都十分好，呈现毛病现已不那么简略了，但在运用的时分还需求注意晶体振荡器的质量。
晶体振荡器技能目标
1、总频差：在规则的时刻内，由于规则的作业和非作业参数悉数组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
阐明：总频差包含频率温度安稳度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压安稳度和频率负载安稳度一起形成的最大频差。一般只在对短期频率安稳度关怀，而对其他频率安稳度目标不严格要求的场合选用。例如：精细制导雷达。
2、频率温度安稳度：在标称电源和负载下，作业在规则温度规模内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大答应频偏。
fT=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）
fTref =±MAX［|（fmax-fref）/fref|，|（fmin-fref）/fref|］
fT：频率温度安稳度（不带隐含基准温度）
fTref：频率温度安稳度（带隐含基准温度）
fmax ：规则温度规模内测得的最高频率
fmin：规则温度规模内测得的最低频率
fref：规则基准温度测得的频率
阐明：选用fTref目标的晶体振荡器其出产难度要高于选用fT目标的晶体振荡器，故fTref目标的晶体振荡器价格较高。
3、频率安稳预热时刻：以晶体振荡器安稳输出频率为基准，从加电到输出频率小于规则频率允差所需求的时刻。
阐明：在大都运用中，晶体振荡器是长时刻加电的，然而在某些运用中晶体振荡器需求频频的开机和关机，这时频率安稳预热时刻目标需求被考虑到（尤其是关于在严苛环境中运用的军用通讯电台，当要求频率温度安稳度≤±0.3ppm（-45℃～85℃），选用OCXO作为本振，频率安稳预热时刻将不少于5分钟，而选用DTCXO只需求十几秒钟）。
4、频率老化率：在稳定的环境条件下丈量振荡器频率时，振荡器频率和时刻之间的联系。这种长时刻频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢改变形成的，可用规则时限后的最大改变率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规则的时限内最大的总频率改变（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表明。
阐明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少选用每天频率老化率的目标，由于即便在实验室的条件下，温度改变引起的频率改变也将大大超越温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因而这个目标失去了实践的含义）。OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
5、频率压控规模：将频率操控电压从基准电压调到规则的结尾电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。
阐明：基准电压为+2.5V，规则结尾电压为+0.5V和+4.5V，压控晶体振荡器在+0.5V频率操控电压时频率改变量为-110ppm，在+4.5V频率操控电压时频率改变量为+130ppm，则VCXO电压操控频率压控规模表明为：≥±100ppm（2.5V±2V）。
6、压控频率响应规模：当调制频率改变时，峰值频偏与调制频率之间的联系。一般用规则的调制频率比规则的调制基准频率低若干dB表明。
阐明：VCXO频率压控规模频率响应为0～10kHz。
7、频率压控线性：与抱负（直线）函数比较的输出频率-输入操控电压传输特性的一种测量，它以百分数表明整个规模频偏的可容许非线性度。
阐明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。简略的VCXO频率压控线性计算方法为（当频率压控极性为正极性时）：频率压控线性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100%
fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率
fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率
f0：压控中心电压频率
8、单边带相位噪声￡（f）：违背载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。
