在嵌入式电路规划中包括模仿电路规划成分比较少，常用的模仿器材大部分为二极管、晶体管。自己现将嵌入式电路中晶体管所组成电路总结一下，以到达稳固意图。
开关器材
在嵌入式电路中常常运用IO口来操控某些电路的开关功用，此刻三极管可作为开关器材来运用。作为开关器材运用时需运用开关三极管如9014和9015等小功率器材，此刻三极管处于饱满状态。现举一例来阐明该类电路特色：
为仿真电路图不是很完好，该电路为晶振封闭功用电路，其间VO接MCU晶振输入端如（XIN）。
若Q1和Q3基极一起为低时，Q2导通而使得VO为0形成晶振停振封闭处理器。咱们剖析R3和R4（实践电路470K）使得Q2和Q3处于饱满态;Q3为Q1集电极负载，调整R5阻值时可操控Q1处于饱满态或扩大态。要使Q2基极导通有必要使Q1供给足够大电流才满意条件，只要Q1处于扩大态才满意条件;
R5=100K时，仿真图如下：
R5=470K时，仿真图如下：
经过以上剖析能够得出只要当电流足够大时才能使Q2导通而封闭晶振，以上是一个较杂乱的组合开关电路。
功率器材
在嵌入式电路规划中，很少运用到功率扩大电路，昨日将大学模电教材晶体管内容通读后有所感悟，尽管其时模电自认为学的不错但重读之后才发现其时仅仅死记硬背而没有真实领会。静态作业点不光决议是否会失真，并且还影响电压扩大倍数、输入电阻等动态参数。然而在实践电路中由于环境温度的改变而使得静态作业点补安稳，然后使得动态参数不安稳，更严峻或许形成电路不能正常作业;在所有环境要素中，温度对动态参数的影响是最大的。当温度升高时，晶体管扩大倍数变大且ICE显着变大。以共射极电路为例，当温度升高时将使Q点向饱满区域移动;当温度下降时将使Q点向截止区域移动。
下图是典型的静态作业点电路
图AB均有相同的等效直流电路。为了安稳Q作业点，一般要满意I1》》IBQ而使得VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1经过这样规划使得不管环境温度怎样改变，VBQ将根本坚持不变。当温度升高时ICE变大，而使得VEQ变大，因VBE=VBQ – VEQ所以VBE将变小;由于VBE变小故IBE也将变小，然后ICE将变小。RE的运用将直流负反应引进使得Q作业点越安稳，一般来说是反应越强，Q点越安稳。
其他安稳Q作业点电路
以上为使用二极管方向特性和正向特性进行温度补偿的电路。
对图A而言，由于IRB=ID+IBE，当温度上升时ICE和ID变大（方向电流随温度升高变大），这样将使得IBE减小而形成%&&&&&%E减小。
