STM3210XXX内嵌的闪存存储器能够用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)。也能够作为闪存寄存数据。
主存储块:小容量产品 4K×64位
中容量产品 16K×64位
大容量产品 64K×64位
信息块: 258×64位
闪存模块安排织:
中容量(每页1K)和大容量(每页2K)的参照数据手册。
闪存存储器被安排成32位宽的存储器单元,能够寄存代码和数据常数。每一个闪存模块都有一个特定的启始地址。
此次测验意图在于使用闪存存储器寄存数据,并不是完成程序烧录功用,所以,只重视存储器的读写,维护功用留下日后再研讨。
下面的比如是从0x08008204的地址中读取数据dat,把数据经过串口发送到终端检查,然后修正该地址的数据,再送到终端检查,对照前后两次的数据是否与预期值相符。先看比如:
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
FLASH_Unlock(); // 免除闪存锁
dat = *(uint32_t *)addr; // 读指定地址的数据
send_data(dat); // 把数据送到串口
dat = *(uint32_t *)addr; // 读指定地址的数据
send_data(dat); // 把数据送到串口
dat+=0x10;
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除页,输入页开始地址
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除页,输入页开始地址
FLASH_ProgramWord(addr,dat); // 对指定地址写数据
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35); // 对页32写维护,有这一句下次就写不入了
FLASH_Lock(); // 锁住闪存
send_data(dat); // 前后数据对照
剖析:
本比如根据64K的中容量产品,每页是1K字节,0x08008204归于第32页。关于FLASH_ErasePage函数的输入值,只要是第32页内的地址都能够。
要注意的是,闪存在写数据前必须先进行擦除,并且只能页擦除,不能单字节擦除。至于为什么,检查闪存的内部结构,这儿不多说。