1.引导镜像区 0x0000_0000~0x07FF_FFFF
2.内部存储区
(1) 内部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF
(2) 内部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF
3.静态存储区 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF
4.动态存储区 0x4000_0000~0x6FFF_FFFF
S3C6410的物理内存分红Memory和Pheriperal两部分，地址规模别离为0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。体系经过 SPINE总线拜访Memory空间，经过PERI总线拜访Pheriperal空间。而为了习惯不同外设的拜访速度，又别离经过AHB总线拜访LCD、 Camera、Accelerator等高速外设，经过APB总线拜访iic、watchdog等低速外设。
3.2内存
Memory，又名主内存，分为4大区域，别离是发动镜像区、内部内存区、静态内存区、动态内存区。
发动镜像区物理地址为0x00000000~0x07ffffff，共128MB。这个区域的效果正如它的姓名所述，是用来发动体系的。可是这个规模内并没有实践的存储介质与之对应，只能在经过OM[4:0]挑选详细的发动介质后再把相应介质的物理地址映射到这个发动区，比如说挑选了IROM发动方法后，就把IROM所占的地址空间映射为0x00000000开端的空间。
内部内存区物理地址为0x08000000~0x0fffffff，共128MB。这个区域对应着内部的内存地址，内部的ROM和SRAM都是散布在这个 区间。其间，0x08000000~0x0bffffff对应着内部ROM，当然实践上内部的ROM也并没有64MB这么多，只要32KB是有实践存储介 质的，这32KB是一个只读区，放的是IROM方法下的发动代码，挑选IROM发动的时分首要运转的 代码便是这一部分，称为BL0，这部分代码由厂家固化。0x0c000000~0x0fffffff对应内部SRAM，实践可用的SRAM依照三星的手册 是4KB，其实这便是用于nand flash发动的Steppingstone（可是这个Steppingstone是8KB，这2者好像有矛盾，不知道是不是我的了解不对）。
静态内存区物理地址为0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。这个区域用于拜访挂在外部总线上的设备，比如说SRAM、NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank为128MB，数据宽度最大支撑16bit，每个bank经过 Xm0CS[5:0]来划定。和S3C2410不 相同的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非线性存储器，这并不是说能够经过bank2~bank5的地址段就能直接拜访nand flash、CF内部的地址，相反，当映射到这些器材的时分这些bank的地址也不能再使用了，拜访这些非线性存储器仍是得经过Pheriperal空间 的AHB总线进行，和S3C2410中的拜访方法是相同的。不过有一个特例是，当Xm0CS2被映射到nand flash的时分，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2开端的4KB，而在以nand flash方法发动的时分bank2被映射到0x00000000开端的当地，实践上便是把Steppingstone映射到0x0000000了，这和 S3C2410的状况仍是类似的。
动态内存区物理地址为0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其间第一个256MB为保存区，实践使用的动态内存区为 0x50000000~0x6fffffff，又分为2个区间，别离占256MB，能够经过DMC的Xm1CS[1:0]来进行着2个区间的挑选。这个内 存区主要是扩展DRAM，最大能够扩展512MB的DRAM。
