可控硅元件—可控硅元件的结构
一种以硅单晶为根本资料的P1N1P2N2四层三端器材，创制于1957年，因为它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又因为晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不只具有单向导电性，并且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只要导通和关断两种状况。
可控硅能以毫安级电流操控大功率的机电设备，假如超越此频率，因元件开关损耗明显添加，答应经过的均匀电流相下降，此刻，标称电流应降级运用。
可控硅的长处许多，例如：以小功率操控大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反响极快，在微秒级内注册、关断；无触点运转，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的缺点：静态及动态的过载才能较差；简单受搅扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不论可控硅的外形怎么，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出操控极G，所以它是一种四层三端的半导体器材。
图1、可控硅结构示意图和符号图
